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`` 首先感谢罗姆公司提供的开发板试用机会,本人作为高校学生,一直从事电源管理方向的研究,想向大功率的方向发展。SiC作为第三代半导体为功率电子的发展提供了很大的潜力,现在比较成熟的SiC器件制造厂商有罗姆,英飞凌,Cree,意法半导体等,因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型,之前也有了解一些SiC管性能参数,下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以对比仿真结果,测试SiC功率管的实际工作状态。 本次报告主要是开箱拍的一些图和介绍对于板子的学习情况。
包装坚固严实的纸箱
在海绵中保护的测试板和随板附带的安全注意事项
测试板的正面图 背面图,高压区域划分的比较明显
对应TO-247-4L封装的SCT3040KR,TO-247-3L封装的SCT3040KL 1200V 40A插件 首先在官网下载了开发板的user guide进行学习,有个整体的了解,开发板主要由驱动模块,控制模块,保护电路和功率元器件组成,实际工作中还需安装散热器保证器件工作可靠性。
散热器的安装 官方的指导文件还给出了一些测试版的连接示例,我这里主要关注了一下后续要做的双脉冲测试和同步整流BUCK电路。 双脉冲测试,可以对比不同开关管参数及性能,同时可以获取开关管开关过程中的参数,评估驱动电阻数值是否合适,是否需要吸收电路等。而且可以考量开关管在实际电路中的实际表现,反向恢复电流,关断电压尖峰,开通关断时间等。
同样也给出了同步整流BUCK的连接示意,我这边打算后续先进行计算和仿真,得到电路的一些参数,然后先搭建开环BUCK测试电路测试静态特性,再采用STM32开发板作为控制板搭建闭环BUCK测试动态特性。 |
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