1、针对传导,测试范围标准 15K-30M,常见的 EN55022 是 150K 起。传导的源头是怎么产生的呢?针对低频,主要是开关频率以及其倍频(后续有图解),这种从源头是无法解决的,开关频率是无法消除的,当然你可以改变开关频率,那也只是将测试结果移动了,并没有真正意义上消除。只能通过滤波器来解决,一般来说对于低频采用 R10K 这种高磁通材质有很好的效果,磁环大小跟你功率有关系,一般达到 10MH 感量,甚至更大到 20MH,配合 Y 电容一般能很好解决,低频不是难点;真正的难点是高频,个人认为,高频的起因就复杂多了,有开关导致,有变压器可能,也有电感的可能,也就就是一切存在开关状态的地方都可能存在(怎么判断具体位置,后续讲解),这里需要一番摸索;找到源头未必源头能解决,可能有改善,还是的配合滤波器。针对高频,采用低磁通材质,如镍锌环,感量一般都是 UH 级别的,配合合适 Y 电容(比较复杂的电源,建议布板时多留几个 Y 电容位置,方便整改);
2、一些配合手段,很多教材都提到增大 X 电容判断差模还是共模,有一定意义可能现实帮助不大,设计时一般我们 X 电容都会放到合适的值。并且增大 X 电容就能解决差模问题,也是瞎扯,所以很多教材都是提供一定意义指导,个人觉得没什么用。我觉得比较好的手段有几个:1. 对照接地和不解地总结差异,不接地可能更差,原因是系统构造的传导途径少了;也可能有改善,说明是通过地回路传导到端口。具体解决措施,针对电路接地的点 Y 电容进行调节以及加磁珠。2. 在输入端口套磁环,若套低 U 环有改善,调节第一级滤波电感。3 复杂的系统注意 EMI 电路的屏蔽措施。若措施都没什么效果,反省 PCB 设计,这方面在 PCB 设计中会讲到。
3、针对辐射:必须找出源头去解决,观测第一次测试结果,若是 30M 附近超出,跟接地相关,系统上找接地,并且要判断测试时是否接地良好,有时候输入线都有影响。2.40M-100M 以内,一般是 MOS 管开通关断引起,有时后为了现场不好直接判断是开通还是关断,可针对性整改观测结果去验证(当然这都得花钱,后续会讲解如何用示波器去判断,这可是密招)。3 100M 以上多为二极管引起,整改二极管吸收电容,大功率的有的可能是同步整流,更改 MOS 管吸收环路,记住有时候调整 C 时还得配合 R 整改。
十八、开关器件与 EMC
对器件的认识对 EMC 也有着重要的意义,比如 MOS 管,主开关 MOS 是很重要的 EMC 源头之一,还有整流管的开通以及关断也会产生高频辐射(原理是电流产生磁场,变化的电流产生电场);当然这里主要是介绍半导体开关器件,其他的电感变压器就不做说明了;
开关器件哪些参数对 EMC 有重要影响,我们常说快管,慢管是以什么作为参照的呢?我们都知道快管开通损耗小,为了做高效率都喜欢用,但是为了 EMC 顺利通过,不得不舍弃效率,降低开关速度来减弱开关辐射;
对于 MOS 管,开通速度是由驱动电阻与输入结电容决定的;关断速度是由输出结电容与管子内阻决定;
参照以上两图,是不同型号的 MOS 管,对比下输入结电容和输出结电容,2400PF 与 800PF;780PF 与 2200PF;一看就知道第一个规格是快管,第二个是慢管,这时候决定开关速度还要与驱动电阻匹配;常规情况驱动电阻在 10R-150R 比较多,选取驱动电阻与结电容有关,针对快板驱动电阻可适当增大,慢管驱动电阻可适当减小;
对于二极管,有肖特基二极管,快回复二极管,普通二极管,还有一种用的比较少的 SIC 二极管,开关速度 SIC 二极管几乎为零,等于是没有反向恢复,开关辐射最小,并且损耗也最小,唯一的缺点就是价格昂贵,故很少用;其次就是肖特基二极管,正向压降低,反向恢复时间短,依次是快回复和普通二极管;需要在损耗和 EMC 之间折中;一般可采取改吸收以及套磁珠等措施整改 EMC;