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1。 输出端空载（负载阻抗无穷大）。必须接有适当的假负载后再进行调试。
2。 确保没有空载，断开Q2的集电极，若输出端电压降为零，则证明Q2确实漏电严重或已穿通。更换Q2。 3。 确保没有空载，断开Q2的集电极，若输出端仍有几近满幅电压，则证明MOS管漏电严重或已穿通。更换之。
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你这个是NMOS，换个PMOS就可以了。NMOS只能接低端用。
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你的图标的不明确，是－10V，还是10V，就很有争义性。
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先弄明白三极管导通条件吧，你这个电路三极管基极无论输入高电平还是低电平，集电结和发射结都是反偏，三极管怎么会导通呢？
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Q2的C极没高电平，所以始终处于低电平
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要么三级关坏；要么场管坏。
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电路可以对比试验，找个好的看看
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我想要用半桥电路测试IGBT，但是IGBT总是导不通，求大家帮忙看看是为什么
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