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2019-11-14 09:56:31
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2019-11-14 09:56:39
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D1可省略。R4是在2个IN=Hi时限制上下管直通电流，不然烧毁上下管。是输出Low优先。
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R4 限流 Q1, Q2 同时导通时, 如果没有这个R4导致烧毁 D1 防止OUT端的电压倒灌 另外Q3直连Q1也是比较危险的 输出电压跟负载有关, 饱和压降是肯定有的, 如果负载太重可能无法进入饱和, 压降更大 |
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2019-11-14 09:57:04
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2019-11-14 09:57:13
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2019-11-14 09:57:50
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兩分图都可以。D1可短接掉不闬它。R4必須有，否則Q1和Q2同时导通时，电流很大会烧坏Q1和Q2。有了R4則即使Q1丶Q2都导通其OUT还是Low。
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R4=0也可以，但要加电路。上面in-H端多一组新的R1和Q3，新的Q3集极接到Q2基极。如此变成Hi优先。
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给你一个实用线路，线路的结构保证了基本上不会有直通风险，串联的2个电阻，也可以进一步防止可能发生的直通。 IO节省了一个，控制方式高，输出低电平，低输出高电平，IO为H/L任意状态，IO转换为输入，则输出高阻。 很小的串联电阻基本上不会影响你输出的精度，如果负载输出阻抗很低，则说明输出功率也很大了，则这里讨论这样的线路没什么意义了。 
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输入端浮空就是高阻？如果是这样的话，输入端口要改变二种模式，一种是PP输出，实现高低电平输出，另一种把输入端设定成输入，成为浮空，输出高阻，
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对啊，输入端浮空，则Q3Q4全部失去偏置截止，Q2Q5也失去偏置，截止，输出高阻。
当IO从0V转换到5V中间，大概在1/2Vcc的±0.5V范围，是实质性死区，Q2Q3都没有导通，合理控制输入方波边沿速度，所以，基本上不会出现输出共通情况。事实上，这线路也是我们用分立器件做MOS驱动的常用手段，为了扩大交越死区，我们甚至可以把Q3、Q4射极部分用3个电阻，而射极交叉，人为扩大死区数据，优点嘛，很明显，输出幅度大，驱动管子能力远高于图腾柱而功耗还低。关键是配感性负载（比如变压器隔离驱动MOS），波形矩形系数比图腾柱好很多很多。 |
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少一端口，在软件需要多一份切换，合理，省硬件还是软件，LZ要思量清楚，此电路应较好完成设计目标。
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本身，高阻和高低输出就是不一样组态，而且，高阻是最高优先级，在控制逻辑上甚至比2个IO还简单呢，改变的只是IO输出模式寄存器的2个bit而已，一个宏替换，就完成高阻和正常输出控制，软件上面逻辑和源代码量2个比起来，还不知道谁优谁劣呢。
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实际上，在电源端加一个自恢复保险管，在软件上，先关闭后开启，防止同时开启引发上下短路，此电路是可以用的，取消R4,D1.
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2019-11-14 10:00:31
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2019-11-14 10:00:51
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