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本帖最后由 nealcc 于 2017-3-13 12:50 编辑
请问，MCU的供电电压是多少V，图2中 +3V 是从那里来的。 先说下你省掉这部分电路的可能作用： 1、降低待机功耗。【图2，待机时，MCUIO设置成浮空，，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗！ 而图1，经过你优化后的电路，待机状态，MCU IO要设置成低电平，而触发时需要设置成高电平，MOS管 10k下拉，因此MCUIO需要强上拉才行！所以待机时的低电平，MCU内部强上拉会产生额外的功耗】 2、提高和稳定电磁铁电路驱动能力。【因为是电池供电,我不确定你的+3V，以及MCU供电是否稳压电源供电，如果不是，必然存在Q5 控制电压随着电池电压而变化，意思就是电池电压波动导致了Vgs电压变动，从而影响到了Q5 的 开启状态，可能在特殊情况下，Q5不完全导通，因此有功耗损失在Q5上的情况。】 |
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nealcc 发表于 2017-3-13 12:49 你好，看了你的回答，我有两点不明白： 1、图2，我将IO设置成高电平，不也可以关闭Q4，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗吗？ 2、图1，我将IO设置成浮空，也可以关闭那个MOS管，形成待机呀？ 不明白这里浮空到底是高电平还是低电平，请指教，谢谢！ |
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xiaxingxing 发表于 2017-3-15 21:30 1、图2，我将IO设置成高电平，不也可以关闭Q4，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗吗？ ----------是的，图2是 可以设置成高电平，前提是MCU是+3V 供电，我不了解你的+3V 和MCU供电的关系。这个很重要！ 2、图1，我将IO设置成浮空，也可以关闭那个MOS管，形成待机呀？ ----------一般MCU在初始化的时候会配置成PP或者OD模式， 配置成PP后软件设置是H电平或L电平，而对于配置成OD的，只能设置成开漏状态和低电平（需要外部上拉电阻才能输出高电平！）！ |
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