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新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展

2009-10-6 10:08:07 6709

0 新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了巨大的挑战，低ｋ介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺———电化学机械抛光（ＥＣＭＰ）应运而生，ＥＣＭＰ在很低的压力下实现了对铜的平坦化，解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题，被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望，对铜的ＥＣＭＰ技术进行了回顾和讨论。关键词：化学机械抛光；铜互连；低介电常数；电化学机械抛光；平坦化技术；多孔 I3n859zO.rar (1.08 MB, 下载次数: 45 ) qE1XVas4.rar (1.08 MB, 下载次数: 40 ) apDdTMhc.rar (1.08 MB, 下载次数: 45 ) 6J00APwz.rar (69.65 KB, 下载次数: 61 ) 0
2009-10-6 10:08:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 化学机械抛光技术的研究进展 14 • 化学机械抛光(CMP) 技术的发展应用及存在问题 857 • 日本研发电化学机械抛光(ECMP)技术 863 • 碳化硅晶片的化学机械抛光技术研究 2019 • 半导体行业中的化学机械抛光技术 1063 • 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题 0 • 化学机械抛光技术(CMP)的深度探索 178 • 采用化学机械抛光(CMP)工艺去除机理 2197 • 化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题 12 • 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题 9 4 个讨论