HCD010P03L扩展坞方案PMOS管(-30V-40A)

2025-12-4 11:12:41 347 芯片

0 PMOS 管（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）以 P 型半导体为衬底，通过栅极施加负电压调控源漏极间空穴迁移，实现电路开关控制或信号放大，是拓展坞电路中的关键基础器件，专为其多接口供电与信号控制需求量身适配。惠海半导体HCD010P03L(-30V-40A) 核心优势精准匹配拓展坞应用场景：适配低压低功耗需求，负值阈值电压可满足拓展坞USB-C、HDMI 等接口的低电压供电规格，有效降低设备整体能耗，延长外接设备续航；抗干扰能力突出，在拓展坞多接口并发工作的复杂电路环境中，能保持稳定工作状态，保障数据传输与供电的可靠性；工艺兼容性强，可与拓展坞集成芯片的制造工艺无缝适配，便于紧凑化电路设计，节省内部空间。在拓展坞中的核心应用：电源管理模块：作为低压差稳压器、开关电源控制单元的核心元件，保障多接口同时供电的稳定性，避免电压波动影响外接设备；信号控制电路：支撑拓展坞的逻辑运算与多接口信号切换，确保USB、网口、视频接口等数据传输无延迟、无干扰；低功耗控制：适配拓展坞待机模式下的低功耗需求，通过精准开关控制减少闲置能耗，兼顾性能与节能。 0 本主题由 jf_26932943 于 2025-12-4 13:33 审核通过
2025-12-4 11:12:41　　评论淘帖0 举报相关推荐 • HCD006P03L(-30V-60A)充电管理模块PMOS管 2105 • HCC010P03L逆变器-30V-8A沟槽型PMOS方案 359 • type-c扩展坞方案\|扩展坞方案\|AG安格扩展坞设计\|扩展坞 2444 • 30A 30A P沟道 MOS管 30P03 931 • 20P03 华能 HN20P03 -30V -20A SOT-89/TO-252 PMOS管 1700 • SLN30P03T 美浦森 -30V -30A DFN33-8 PMOS管 1014* • WSD30L40DN P DFN3X3-8 -30V -40A 17 • 16P03 30V P沟道MOS管 -30V -16A DFN33-8场效应管 1049* • G16P03 原装 -30V-16A P沟道 MOS场效应管 1949 • AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03 3