FAQ_MA35D1_IoT板如何修改保留存储器？

由于物联网板不使用与显示相关的内容，因此您可以删除设备树中的与显示相关的内容并添加预留内存。

目前，保留内存128M 是 19980k，以及512M是117404K.

从设备树中的保留内存中删除与显示相关的内容：输出/build/linux-custom/arm64/boot/dts/nuvoton/ma35d1.dtsi
reserved-memory {                #address-cells = <2>;                #size-cells = <2>;                ranges;                display_buf: display_buf@0 {                        reg = <0x0 0x8C800000 0x0 0x3000000>; /*48MiB*/                        no-map;                };                vc8k_buf: vc8k_buf@0 {                        reg = <0x0 0x8A800000 0x0 0x2000000>; /*32MiB*/                        no-map;                };                gc520l_buf: gc520l_buf@0 {                        reg = <0x0 0x8A000000 0x0 0x800000>; /*8MiB*/                        no-map;                };                rproc_buf: rproc_buf@0 {                        reg = <0x0 0x80020000 0x0 0x60000>; /*384KB*/                        no-map;                };        };修改为
reserved-memory {                #address-cells = <2>;                #size-cells = <2>;                ranges;                rproc_buf: rproc_buf@0 {                        reg = <0x0 0x80020000 0x0 0x60000>; /*384KB*/                        no-map;                };        };还需要修改内核 Makefile：输出/构建/linux-custom/arch/arm64/boot/dts/nuvoton/makefile
放下以下内容：
# SPDX-License-Identifier: GPL-2.0dtb-$(CONFIG_ARCH_MA35D1)    += ma35d1-iot-128m.dtb                                 ma35d1-iot-256m.dtb                                 ma35d1-iot-512m.dtb                                 ma35d1-som-256m.dtb                                 ma35d1-som-512m.dtb                                 ma35d1-som-1g.dtbalways          := $(dtb-y)clean-files     := *.dtb修改为
# SPDX-License-Identifier: GPL-2.0dtb-$(CONFIG_ARCH_MA35D1)    += ma35d1-iot-512m.dtb          always          := $(dtb-y)clean-files     := *.dtb
#MA35D1,  #IoT,  #Reserved-Memory

修改新唐 MA35D1 IoT 板（或其他基于 NuMicro MA35D1/D1S 系列的开发板）上的保留存储器（通常指 BBRAM - Battery Backup RAM）需要特定的软件配置和访问方法。这个 RAM 区域需要后备电池供电才能在主电源断开时保持数据。

以下是修改 MA35D1 BBRAM 的步骤和注意事项：

? 核心步骤

1. 
   

   硬件准备（关键）:

   
   
   
   
   • 确保你的开发板的 BBRAM 后备电池已正确连接且电量充足。如果没有后备电池供电，断电后 BBRAM 数据会丢失。
   
   
   • MA35D1 需要支持电池的硬件设计（通常是 VBAT 引脚）。确保板子电源设计允许 BBRAM 在系统主电源掉电时无缝切换到电池供电。许多官方评估板都提供了纽扣电池座。
   
   
   
   


2. 
   

   启用和访问 BBRAM (软件配置):
   BBRAM 通常通过 RTC 控制器相关联的功能模块进行管理。

   
   
   
   
   • 使能 BBRAM 时钟和控制：
     
     
     
     • 在初始化代码中（如 RTC 初始化或专门的 BBRAM 初始化函数），需要启用访问 BBRAM 的时钟（可能涉及 CLK->APBCLK0 的相关位使能 RTC 时钟）。
     
     
     • 关键步骤：设置 RTC->CTL 控制寄存器中的 BBRAMEN (Battery-Backup RAM Enable) 位（通常是 bit 1）为 1。这将启用电池供电对 RAM 区域的保护。
     
     
     • 检查寄存器定义文件（Project_MA35D1.h, rtc.h 或类似文件）。
     
     
   
   
   • 可能需要的解锁：新唐的 RTC/BBRAM 配置寄存器通常是受保护的，以防止意外写入。通常需要向 RTC->LOCK (锁寄存器) 写入特定的解锁序列（例如 0x1ACCE551 和 0xE33B7F4A）才能解锁对 RTC->CTL 等寄存器的写入权限。
   
   
   • 等待使能完成：写 BBRAMEN 位后，检查状态寄存器（如 RTC->STATUS）或延时以确保操作完成。
   
   
   
   


3. 
   

   读写数据:

   
   
   
   
   • 通过 BSP 驱动函数 (推荐):
     这是最简单、最安全的方式：
     
     
     
     • 查找新唐提供的 BSP 软件包（SDK）中与 RTC 或 BBRAM 相关的函数。
     
     
     • 通常会提供以下函数：
       
       
       
       • RTC_WaitAccessEnable(): 在访问前确保可以安全写入（可选，部分 SDK 自动处理）。
       
       
       • RTC_BatteryRAM_Write(uint32_t u32Addr, uint32_t u32Data): 向指定偏移地址写入一个字（4字节）。
       
       
       • RTC_BatteryRAM_Read(uint32_t u32Addr): 从指定偏移地址读取一个字（4字节）。
       
       
       • 查找类似 rtc_write_bbr, rtc_read_bbr, RTC_WriteBackupData, RTC_ReadBackupData 的函数名。
       
       
     
     
     • 在你的用户代码中调用这些函数进行读写。仔细查看函数原型和 SDK 文档，了解可用的地址偏移范围（MA35D1 的 BBRAM 通常有 4096 Bytes，即 0x000 to 0xFFF 偏移）。
     
     
   
   
   • 直接寄存器访问（高级）:
     BBRAM 通常有固定的映射地址（Memory-Mapped）。MA35D1 的地址通常是 0x4001_8000 (BBRAM base in RTC domain)。
     
     
     
     • 使能 BBRAMEN 和内存映射：在访问地址前，除了启用 RTC->CTL.BBRAMEN，还需要确保 RTC->CTL 的另一个关键位：MEMIFEN (Memory Interface Enable, bit 0) 也被设置为 1。这将使能通过软件访问这段 RAM。
     
     
     • 注意映射范围：地址 0x4001_8000 开始的区域（大小如 4096 Bytes）。
     
     
     • 访问方式：
       

       // 启用 MEMIFEN 和 BBRAMEN（并确保已解锁寄存器）
       
       volatile uint32_t *pBBRAM = (uint32_t *)(0x40018000); // 指向 BBRAM 基地址
       
       // 写入一个字 (4字节) 到偏移 0
       
       pBBRAM[0] = 0x12345678;
       
       // 从偏移 4 读取一个字
       
       uint32_t data = pBBRAM[1]; // 相当于偏移地址 0x4001_8004

     
     
     • 偏移限制：直接访问时，请确保你的偏移在 BBRAM 的物理大小范围内（例如 0x000 to 0xFFF）。
     
     
     • 原子性和中断：如果系统中有实时任务或中断可能同时访问 BBRAM，考虑在读写关键数据时禁用中断 (__disable_irq()) 以保持原子性。
     
     
   
   
   
   


4. 
   

   电源切换注意事项:

   
   
   
   
   • 硬件设计应确保在 VBUS (主电源) 低于 VBAT (电池) 时，电路能可靠地将 VBAT 连接到 BBRAM 的电源域。软件通常不需要干预这个过程。
   
   
   • 在写入关键的不想丢失的数据后，如果条件允许，可以短暂断开主电源并验证后备电池保持功能是否正常（测试条件需谨慎）。
   
   
   
   


5. 
   

   调试:

   
   
   
   
   • 使用调试器（如 Keil, IAR）单步执行代码，观察写入寄存器和 BBRAM 地址的值。
   
   
   • 在写入后立即读取相同的地址进行回读验证。
   
   
   • 执行系统复位（不关主电源），检查 BBRAM 数据是否保持。
   
   
   • 短暂断开开发板的 5V/USB 电源，再次上电后检查 BBRAM 数据是否被后备电池成功保留（这是最终测试）。
   
   
   
   

? 示例代码片段（基于 BSP 函数，概念性）

#include "rtc.h" // 包含 RTC/BBRAM BSP 头文件



void Init_BBRAM(void) {

    // 解锁 RTC 配置寄存器（如果 SDK 函数内部不自动处理）

    SYS_UnlockReg(); // 可能需要更具体的 RTC 解锁函数或序列，参考 SDK 示例



    // 使能时钟

    CLK_EnableModuleClock(RTC_MODULE); // 启用 RTC 模块时钟



    // 使能 BBRAM 供电（设置 CTL.BBRAMEN=1）并使能内存映射（设置 CTL.MEMIFEN=1）

    // 使用 BSP 函数或直接写寄存器：

    RTC_EnableBatteryBackupRAM(); // 假设存在此函数，内部设置 MEMIFEN 和 BBRAMEN

    // 或者直接操作（知道解锁序列后）:

    // RTC->LOCK = RTC_LOCK_KEY;

    // RTC->CTL |= (RTC_CTL_MEMIFEN_Msk | RTC_CTL_BBRAMEN_Msk);

    // RTC->LOCK = 0;



    // 等待使能生效（如果有必要）

    while(!(RTC->CTL & RTC_CTL_BBRAMEN_Msk)); // 检查使能位

}



void WriteTo_BBRAM(uint32_t offset, uint32_t data) {

    // 确保 offset 是 4 的倍数且在有效范围内 (e.g., offset < 4096)

    if (offset < BBRAM_SIZE && (offset % 4) == 0) {

        // 使用 BSP 函数

        RTC_BatteryRAM_Write(offset, data);

        // 或者直接写入： *((volatile uint32_t *)(BBRAM_BASE + offset)) = data;

    }

}



uint32_t ReadFrom_BBRAM(uint32_t offset) {

    if (offset < BBRAM_SIZE && (offset % 4) == 0) {

        // 使用 BSP 函数

        return RTC_BatteryRAM_Read(offset);

        // 或者直接读取： return *((volatile uint32_t *)(BBRAM_BASE + offset));

    }

    return 0xFFFFFFFF; // 错误值

}

? 重要提示

• 检查数据手册和BSP文档：最权威的信息来源是：
  
  
  
  • MA35D1 技术参考手册，特别是 RTC 章节。
  
  
  • MA35D1 数据手册，查看内存映射部分，确认 BBRAM的基地址和大小。
  
  
  • 新唐为你的开发板或芯片提供的 BSP (Board Support Package) 软件包、示例代码 (特别是 RTC 示例) 和用户指南。
  
  


• 地址偏移：BBRAM 是一个连续的地址空间，读写函数或直接访问时的偏移量通常是从起始地址开始的字节偏移量。确保偏移量正确且不越界。


• 数据对齐：字访问（4字节）通常需要地址是4字节对齐的（偏移量能被4整除）。


• 大小：确认 MA35D1 的 BBRAM 实际大小（常见的是 4KB）。


• 易失性：BBRAM 是 易失性存储器！它的持久性完全依赖于后备电池的持续供电。如果电池耗尽或断开，数据立即丢失。对于需要绝对数据保证的场合，考虑使用 SPI Flash 或 FRAM。

如果你在具体的 SDK 中找不到 RTC_BatteryRAM_Write/Read 这样的函数，仔细查阅 RTC 相关的示例代码和头文件。通常实现读写 BBRAM 的函数会和 RTC 的功能放在一起。? 祝你顺利修改保留存储器！