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基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD适配器参考设计

2023-9-7 07:43:51 316 适配器 GaN

0 氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高 0 【工业峰会资料】基于 VIPerGaN50 和 STUSB4761 的 45W QR USB PD 适配器参考设计.pdf 3 Bytes , 下载次数: 0
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