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在遍及工业与生活的各大领域中,电流检测是不容忽视的一个重要市场门类。传统上,常见到的检测技术包括电阻采样式(Shunt),电流互感器式(Current Transformer),磁阻式(xMR),以及本文会着重分析到的霍尔式(Hall)。
霍尔式能检测的范围涵盖DC和AC,电流从A级到kA级,灵敏度适中。它具有当今业界技术最成熟和性价比最高等特点,因而广受行业内人士的喜爱。 霍尔式又可以分为闭环式和开环式。从构造复杂度和性价比而言,开环式结构有着更高的综合效益。开环霍尔检测,主要有单芯片检测技术,和霍尔检测模块技术两种。单芯片技术对于小电流范围和低功耗应用最佳。 而霍尔检测模块技术,具有对更大电流、大功耗的应用具有更广阔的适应空间。直接购买检测模块,对快速切入很有利,然而,模块核心技术依然主要受制于LEM(莱姆),Yazaki等国际上的电流模块生产大厂。而研制检测模块,虽然更耗费开发时间和精力,对于拥有自研技术而言,大有裨益。 本文将针对霍尔电流模块,着重探讨其中的磁场学考量和电子设计因素,以帮助您进行模块设计。 我们知道,霍尔效应利用垂直磁场中的霍尔板,感应出与磁场成正比的电压(即霍尔电压)的原理,进行磁场测量。现实世界中的磁场源无非三种,磁铁是其中一种,而导体流过的电流,也是重要的一种。根据安培右手螺旋定则,直导线电流,产生环绕导线方向的磁场。 但是,当单纯依靠电流产生磁场时,由于相对自由的散布在空间,非常容易受到外在杂散磁场影响。比如,其他通电导线,或者附近电机的磁场都有可能完全混淆到磁场中,使原本的待测电流信号不可辨分。 作为基本的磁学原理,所有各条磁感线具有永不相交和各自闭合的特性。当使用带气隙(airgap)的磁环时,由于磁环本身为软磁(Soft Iron)材料的导磁(magnetic conduction)特性,使电流产生的磁场汇聚到磁环中,并在气隙中产生均匀磁场(homogeneousfield)。由此,很容易直观理解其结构的两大优点,即,外在杂散磁场对气隙中的磁场影响小到可以忽略,并且在气隙中磁场因获得额外增益而得以加强。 在气隙狭小的空间中,磁环方案的电流检测获得出色的抗干扰、抗共模特性。 假设气隙的大小是g(mm),如图所示。而导线通过的电流为I(A),则磁感强度B(mT)可以由以下经验公式计算出 以电流为400A、气隙大小是2.5mm为例,在气隙内的区域,可以产生200mT(即2000Gauss)的磁场。 这时候,为了检测该磁场,气隙中需要一颗能够处理200mT磁感应强度的线性霍尔传感器芯片放置在气隙中,它可以用来反映被检测的电流。 CC652x/651x系列芯片就是这样的高性能线性霍尔传感器芯片,是由成都芯进电子有限公司自主研发的高性能线性霍尔传感器。该系列芯片是原厂可编程的单片传感器IC,采用标准SIP封装。该系列传感器支持的输出采样频率高达200kHz,高速输出正比于磁感强度的模拟信号。CC652x系列更是令用户获得3.7μs快速响应时间的精密传感器。CC652x通过MTP(多次编程)技术,提供灵敏度、失调量等基本参数的多次可编程特性。出厂芯片皆通过片内温度补偿获得高品质的温度特性和参数一致性。 仍以刚才的条件为例,如果采用CC652x芯片默认的灵敏度值SENS=0.9mV/Gs=9mV /mT,则0~400A的电流范围将产生2.5V+-1.8V的输出电压范围,支持峰-峰值3.6V的高速输出。 在实际设计中,上面的经验公式结果一般具有非常准确。当然同时,设计中需要留意的电磁因素,主要是磁环和芯片应用两方面。 磁环方面涉及:磁饱和(saturation),磁环的磁温度漂移(magnetic temperaturedrift),层压(lamination),边缘效应(fringing effect),机械固定与应力(housing and strain),散热(thermal heating)等。 磁饱和,普遍存在于所有磁材料,无论软磁(soft iron)、硬磁(hard magnet),而磁环材料属于软磁。其机理是超过磁材的磁饱和阈值后,内部可极化的微粒已经几乎极化迨尽。因此,使用前请认真查阅磁环材料规格书,了解其饱和极限。正如示例图中所示,超过磁饱和的阈值使用,会大幅度降低系统的电流检测精度。 磁环的磁温度漂移,即环境温度的不同,会导致其磁性强度随着温度改变。在磁环的规格书中也有对温度漂移系数的明确说明,需要查明。 层压,即厂家所生产的磁环材料直接成形为平行独立片层。这样有什么好处呢?可以衰减趋肤效应(skin effect)的影响。 磁环材料具有趋肤效应,并且越强磁场的趋肤效应越明显。尤其是,当其所汇聚的磁场由几百A以上这样的大电流产生,那么严重的趋肤效应会导致,大部分磁场主要聚集在临近磁环表面的物质区域,导致磁通密度的严重不均,严重影响传感精度。通过磁感线方向的层压生产技术,可以削弱该影响到可以忽略不计的程度。 边缘效应是指:越靠近磁环气隙边缘处,磁感线变得越发弯曲。而且更容易受外界干扰影响,所以使用中需要避免将传感器芯片放置于太靠边的位置。 (气隙中央区均匀,而越靠近红色位置的磁感线越弯曲) 磁环直径的考虑,要为磁环与被测的通电导体之间留出充足的间隙,以利于电气安全和散热效率。 另外,磁环在受到机械应力作用下时,其磁场性质也会有所改变,因此,在保证磁环方便固定的前提下,尽可能避免受强压力/强应力碰撞、挤压。 芯片应用方面,CC652x/651x系列IC, VCC对GND端需要外挂去耦电容。芯进经过严格的测试验证,选取100nF电容值,可以确保电源电气品质。 安全可靠使用方面,使用芯片元件,需遵守防静电(ESD)可靠性要求。芯片为精密微电子元件,切不可超越极限参数使用,否则可能会造成不可逆的损坏。 避免芯片受到极端的管脚应力和塑料封装应力,否则甚至可能完全破坏芯片功能。 总体上,线性霍尔搭配磁环的方案,由于性价比、以及非接触式的优点,加上电气安全能力、散热好等优势,在非常多的应用领域中非常受欢迎,诸如:电力配电柜,大型通信机柜,电池管理,大功率智能储电设备,分布式电源系统组元(PDU),大电流焊机、电机等系统中皆可用于感测电流。 结论: 基于CC6521配合磁环方案,非常适合搭建电流传感器应用。传感器IC置于环形软铁磁芯精巧的气隙中,电流导体穿过铁磁环的内部,磁环汇集并放大磁通密度,均匀磁场线由此垂直穿过传感器IC的传感元,从而产生与电流成比例的输出电压。依据此原理,组建电流测量系统,典型的精确测量范围从100A~1000A,广泛适用于工业与生活的方方面面。 |
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