【原创分享】从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（八）

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作者：鲁肃老师（张飞实战电子高级工程师）

我们希望米勒平台的时间短，但是往往容易出现震荡，反而发热更大。另一方面，如果米勒平台时间短，对于高压管子来说，开通时dv/dt大，所包含的谐波分量就大。

什么是谐波分量呢？任何一个波形都可以用若干个正弦波进行叠加，那么，我们MOSFET由于米勒平台时间短，dv/dt就很大，就表示开关波形的沿越陡，棱角越分明。一般我们所说的基波是一个标准的正弦波，dv/dt产生的开关波形，可以由这个基波和很多个高次谐波分量的正弦波叠加。如果沿越陡，谐波分量就越多；如果沿越缓，谐波分量就越少。谐波分量其实是一个辐射源，如果dv/dt越缓，那么谐波分量越少，EMC更加容易通过。

那么，高压管子的平台时间多少合适呢？高频载波的话，米勒平台时间在300ns~1us，那么1us可能发热会大一些，具体要看封装和Id电流的大小，如果最后测试下来，温度能接受，那也是可以的。那么如果MOSFET只用于电源上电和断电时的开关来用，那么这个平台时间长一点也没关系，毕竟是低频的。

对于低压管子来说，由于GS电容偏大，所以Igs电流要大，栅极电阻要更小，建议10R~100R。也就是说，虽然低压的管子GS电容大，但是栅极电阻小，米勒平台的时间也不会太长。

那么，低压管子的平台时间多少合适呢？可以更小一些，90ns~300ns。这些都是个人的一些看法，不代表权威性，要根据自己的项目各自评估。

那么关于高压管子和低压管子，具体的米勒平台的时间，还需要看Vgs波形是否震荡为准。

尤其在MOSFET用于上下桥互补斩波的时候，可能会出现一些问题。什么是上下桥互补斩波呢？

上面这幅图就是上下桥互补输出，意思就是上下管不能同时导通，否则就短路了。上管开通时，下管就要关闭；下管开通时，上管也要关闭，这就是互补输出的含义。

如果驱动上管的PWM信号是S1，驱动下管的PWM信号是S2。