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大家好,我们正在从一个DSPIC33 EP512MU810迁移到一个DSIC33 EP512GM310。我们在引导加载器中使用行编程;在MU芯片上,这包括在开始NVM操作之前使用TBLWRTH和TBLWRTL指令(对锁存器地址)。NVMSRCADRL和NVMSRCADRH地址,没有太多细节。现在还将用于行编程的NVMOP代码列出为0010=内存行程序操作,其中包含来自RAM的源数据,表明这是唯一的方法……1。似乎旧的表写方法与通用芯片不兼容。有人能证实吗?2。NVMSRCADRx寄存器所指向的数据是每个程序字24位(匹配实际的程序宽度)还是每字32位(匹配任何读/写操作的有效大小)。假设RAM方法正常工作,我将在这里发布一个响应,以便回答2。
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1个回答
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1。YES2。你也可以这样做。NVMCON寄存器的RPDF位(位×9)指定格式(压缩的1)。
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