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这个是一个N沟道和P沟道mos管混合使用的H桥，用直流电源仿真了其中一种情况，电流超大，GND和10V更换一下位置，另一个mos管电流也很大，不知道是什么情况，现在也不敢贸贸然做成电路使用，请教哪位兄弟给指导一下。
file:///C:UsersweixuAppDataRoamingTencentUsers46815474QQWinTempRichOle{AM4]EV]SZBN%_29}Z$(P~E.png 
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个人认为，你的mos是串联关系，若想开启MOS需要依赖Vgs，所以那两个gate端不能用同一个。因为这两个MOS的源极电势不同。但是我这么试了试，发现效果依旧不好，会有点抖动之类的失真
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10V对PMOS来说电压低了是导的，对于下面的NMOS是高的也是导通的，这个驱动电路是错的
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2023-3-28 15:18:01
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