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MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器
2020-6-30 16:26:14  174 存储器
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MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器

规格:
存储器类型        易失
存储器格式        DRAM
技术        SDRAM - ddr2
存储容量        1Gb (64M x 16)
存储器接口        并联
时钟频率        400MHz
写周期时间 - 字,页        15ns
访问时间        400ps
电压 - 供电        1.7V ~ 1.9V
工作温度        0°C ~ 85°C(TC)
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        84-TFBGA
供应商器件封装        84-FBGA(8x12.5)

类型:        SDRAM - DDR2        
安装风格:        SMD/SMT        
封装 / 箱体:        FBGA-84        
数据总线宽度:        16 bit        
组织:        64 M x 16        
存储容量:        1 Gbit        
最大时钟频率:        800 MHz        
电源电压-最大:        1.9 V        
电源电压-最小:        1.7 V        
电源电流—最大值:        95 mA        
最小工作温度:        0 C        
最大工作温度:        + 85 C        
系列:        MT47H        
封装:        Tray        
商标:        micron        
湿度敏感性:        Yes        
产品类型:        DRAM        
工厂包装数量:        1368        
子类别:        Memory & Data Storage

MT47H64M16NF-25E_M.pdf (2.34 MB, 下载次数: 0)


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