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[问答] 电源冗余电路MOSFET的驱动15VDC是否能正常打开?
112 华强芯城 MOSFET 电源
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各位大虾们,我从来没有用过MOSFET,虽然了解其原理,但是缺乏应用经验,现在要做一个电源冗余电路,要求是这样的:主路电源(24VDC)为常备电源,只要没有电压异常就一直使用它,一旦其电压异常则切换至辅路电源(电池24VDC),工作电流最大30A,切换开关使用N-MOSFET,使用MCU采集主路、辅路以及输出的电压及电流,电路中有一15VDC电源,拟使用它来做N-MOSFET的控制电源,现在我有一个疑问:因为是做电源冗余用,N-MOSFET为高边驱动方式,15VDC是否能正常打开它并且能够维持其正常工作?敬请各位大虾指点,谢谢!
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2019-10-18 09:01:55   评论 分享淘帖 邀请回答
6个回答
使用背靠背的方式是避免主路和辅路之间通过寄生二极管联通,如果不用这种方式,如果主路上失电,当这个模块的电源切换至辅路后,则会出现辅路电源倒灌给主路电源的情况,会出问题的。
2019-10-18 11:53:03 评论

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接上,P-MOSFET的导通电阻比N-MOSFET的要高不少,这个大电流散热问题比较头疼。
2019-10-18 12:01:25 评论

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也就是说在这个高边应用中如果我还是用N-MOSFET的话,必须要使用Vin+Vgs的电平来控制它的G极才能完全打开。而使用P-MOSFET则需要使用低于Vin - |Vgs|V的电压就可以打开它,如果关闭它的话N-MOSFET使用0V或者负压,P-MOSFET只要是Vin或者高于Vin就可以。
2019-10-18 12:15:00 评论

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与Iout还有一定关系。
2019-10-18 12:21:33 评论

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P沟的Rds比N沟的大多了,楼主的电流达到30A建议还是用N沟的MOSFET.
2019-10-18 12:36:00 评论

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是的,比较了一下,与其在散热上伤脑筋还不如搞两个高边驱动芯片,还是用N-MOSFET吧,因为我想把电流余量留的大一些,做到50A。
2019-10-18 12:47:33 评论

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