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本人用1ED驱动芯片和IGBT hp-drive FS820R08A6P2B做MCU的驱动系统，在跑功率标定电机的时候出现驱动芯片CLAMP引脚和VEE2短路，及IGBT软损的情况：
1、电源供电正常，正15V和负8V驱动，纹波基本在500mV以内； 2、跑功率时，功率到达108kw,相电流峰值到达650A，母线电压345V； 3、在转速到达4500rpm时出现损坏，IGBT V相下管的E级有烧黑的小黑点（压接）；驱动芯片的CLAMP和VEE2击穿（不确定过流过压，寄回原厂做失效分析只说是电气应力大损坏，讲真，我也知道电气应力大而损坏啊！）；IGBT没完全损坏，但从测试结果看，GD之间的结电容应该受损了，Cgd之间的结电容变大； 4、损坏之后换驱动芯片，可以正常跑功率。但在关断后的小尖峰达到20V，持续时间为70ns左右； 由于没有抓到损坏时候的波形，所以有几个问题无法判断： 1、IGBT烧坏的E级，个人认为是经过大电流了，可这个电流的方向呢？从驱动板到IGBT还是从IGBT到驱动板？ 2、电气应力大是过流还是过压（可提供失效分析报告；）？ 3、电流电压都上去了，为何在某一个转速转矩条件下会出现损坏？ 4、小尖峰达到20V，持续时间70ns,误导通风险大不大？门级的TVS（17V）是否会工作？ 由于该论坛上传不了图片，所以无法分享太多啊，可以私聊，望大神们能够提供帮助。 
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7个回答
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你有没有做过1ED020I12FA2这款芯片的短路实验？有没有测过DESET保护电压和保护反应时间？有没有测过关断时Vge的尖峰电压与Vce的尖峰电压？
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我接手别人的项目也用这颗料，总烧，初步分析是OUT或CLAMP过功率引起过温烧毁，特别当频率高时。无过温保护啊！
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徐启轮 发表于 2017-7-5 11:41 1、双脉冲和短路试验都打了，6us的保护时间，现在的关键是不是IGBT，而是驱动芯片损坏； 2、Vce的尖峰电压150V左右，最大功率驱动状态下，Vge上存在70ns左右的小尖峰，您是认为这个尖峰会损坏芯片内部？ |
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tgxzer 发表于 2017-7-13 10:24 我的开关频率是10K，门极加推挽，电阻为5ohm; 现在我的处理方式是直接不用CLAMP了，我看过有的公司的处理方法是在外面加MOSFET当CLAMP，不知道您有没有别的处理方法； |
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你这种情况很可能其他元件也受损了，推挽的三极管等外围器件，建议你换驱动板。关断门极有这么高尖峰很不正常，不知道你失效时标定是在电动还是发电模式。
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hzqiang008 发表于 2017-9-5 08:35 推挽没有坏的； 目前检查为止，确定的原因主要是压接IGBT，在接触断面引进的寄生参数有点大，导致振荡尖峰；把IGBT进行焊接就没有这个杂波了； 这个在驱动和发电状态都存在的； |
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JOEBA 发表于 2017-9-6 10:06 关键是70ns的尖峰会影响驱动芯片么？ |
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