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电源工程师 1
上海市 浦东新区 设计开发工程
  • 在网络上关于桥式电源隔直电容的分析与计算的资料比较少,在此咱们一起来简单分析一下。
    h1654155282.3538
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  • 提到运算放大器(下文简称:运放),很多人肯定觉得既熟悉又陌生。大家可能都在书本上或者工作中听到过它的大名,但真正用过运放的人就相对较少。其实运放是一种十分常见的电路单元,传感器一类的信号调理应用是它的主场,此外运放还常被用作比较器、比例放大器、积分器等,在各类电子产品中发挥着举足轻重的作用。它还可以作为缓冲器用于电源后级给芯片供电。今天小为就给大家讲讲到底什么是运放,该怎么选运放,以及怎么回避运放应用中的各种“坑”。
    9bux_awinicfami
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  • 在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。本文为大家介绍办桥电路的原理图、工作过程以及理想波形。
    jf_f8pIz0xS
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  • 电阻R和电容C串联接入输入信号VI,由电容C输出信号V0,当RC (τ)数值与输入方波宽度tW之间满足:τ》》tW (一般至少为10倍以上),这种电路称为积分电路
    电子工程师
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  • 接下来再来看谐振半桥式DC-DC变换器的第二种工作状态,即谐振变换器的开关频率fS工作在fr1和fr2之间时的工作运行情况。此时,励磁电感Lm参与谐振,原边开关管Q1和Q2实现零电压开通(ZVS),副边整流二极管实现零电流(ZCS)自然关断,并且工作在电流断续状态,当工作频率偏离谐振频率fr1并下降时,激磁环路电流相对增加。
    lPCU_elecfans
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  • 安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。
    西西
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  • 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
    西西
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  • 由于去耦电容器在高频时的阻抗将会减小到其自谐振频率,因而可以有效地除去信号线中的高频噪声,同时相对于低频来说,对能量没有影响,所以可在每一个集成电路的电源地脚之间加一个大小合适的去耦电容器。
    倩倩
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  • 高频不容易通过高频性能差的大容量电解电容,而片状的陶瓷电容则在价格性能上占尽优势。
    1Or4_dianyuanka
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  • mos管如何并联使用? 2019-06-26 17:22
    并联是元件之间的一种连接方式,其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接,同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式,即并联电路。
    h1654155282.3538
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  • 使用MOS管的注意事项 2019-07-08 16:39
    MOSMOS管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOSMOS管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。
    倩倩
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  • MOS管的正确用法 2019-07-08 15:30
    MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
    倩倩
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  • 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制AlGaN沟道HEMT器件性能提升和应用的关键瓶颈难题。为此,团队提出并实现了一种具有三层缓冲层的材料结构,使得AlGaN沟道HEMT器件获得了当前国际最好水平的饱和电流、开关比(ION/IOFF)、最大跨导和电子迁移率等
    工程师
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