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丁耀举

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工程师河南山河路桥有限公司

广东省东莞市丨设计开发工程

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如何防止静电放电损伤呢？ESD的测试方法解析 2023-10-26 10:16

NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。

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