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丁耀举
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工程师 河南山河路桥有限公司
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    单片机c语言

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  • 收藏了文章 2024-10-18 17:49

    如何防止静电放电损伤呢？ESD的测试方法解析
    NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容...
    2
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    0条评论
  • 赞同了文章 2024-10-18 17:49

    如何防止静电放电损伤呢？ESD的测试方法解析
    NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容...
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  • 关注了版块 2024-8-26 17:01

    方案交易

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    电源技术论坛

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  • 关注了版块 2024-8-3 14:26

    无线充电技术

    7845 人关注
  • 发布了帖子 2024-8-3 14:26

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    无线充电技术发展趋势

    丁耀举
    工程师 河南山河路桥有限公司
    目前无线充电技术还处于发展阶段，距离方案的成熟尚需不断探索和完善！降低热损耗，提升效率缩短充电时间，改良充电曲线以更好的保护负载设备（终端或者电池等）。 ...
    来源：无线充电技术 标签： 无线充电方案
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