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学生 USTC
安徽省 合肥市 学术研究/学生
  • 收藏了文章 2023-10-7 14:27
    如果工艺制程继续按照摩尔定律所说的以指数级的速度缩小特征尺寸,会遇到两个阻碍,首先是经济学的阻碍,其次是物理学的阻碍。 经济学的阻碍是,随着特征尺寸缩小,由于工艺的复杂性设计规则的复杂度迅速增大,导致芯片的成本迅速上升。...
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  • 收藏了文章 2023-10-7 14:27
    硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅(SiO2)层。在许多制程步骤中,如在热处理过程之前,需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应,生成挥发性的氟硅酸,从而清除硅片表面的氧化物层。...
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  • 收藏了文章 2023-10-7 14:27
    在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除不需要的材料,即“刻蚀(Etching)工艺”。...
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  • 收藏了文章 2023-10-7 14:27
    湿法刻蚀由于精度较差,只适用于很粗糙的制程,但它还是有优点的,比如价格便宜,适合批量处理,酸槽里可以一次浸泡25张硅片,所以有些高校和实验室,还在用湿法做器件,芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷(defect),腐蚀背面多晶硅。...
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  • 关注了版块 2023-10-7 14:05

    测试测量技术

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  • 收藏了文章 2023-10-7 11:23
    在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所...
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  • 收藏了文章 2023-10-7 11:20
    欧洲极紫外光刻(EUVL)技术利用波长为13.5纳米的光子来制造集成电路。产生这种光的主要来源是使用强大激光器产生的热锡等离子体。激光参数被调整以产生大多数在13.5纳米附近发射的锡离子(例如Sn10+-Sn15+)。...
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