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销售工程师 日本株式会社应特科技销售上海代表处
上海市 杨浦区 市场及销售
  • 来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 12月11日消息,自去年10月美国出台对华半导体限制新规之后,今年日本和荷兰也相继跟进限制了先进半导体设备的对华出口。但是,这也给其他尚未出台类似限制政策的国家的半导体设备厂商带来了新的机会,毕竟中国大陆目前仍是全球最大的半导体设备市场。 据DigiTimes报道,韩国光学晶圆检测设备制造商Nextin近期已经与一家未公开的中国客户签署了一家价值为70亿韩元(约合539万美元)的采购协议,购买了其一
    感知芯视界
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  • 电子发烧友网报道(文/吴子鹏)半导体设备是集成电路产业的基石,为万亿数字经济产业保驾护航。从沙子到芯片,需要经过三大流程——硅片/晶圆制造、芯片制造和封装测试,这些流程都离不开半导体设备。 在第102届中国电子展(China Electronics Fair,CEF)上,记者看到了国产半导体设备一些新进展。作为一家具备世界先进技术的半导体设备制造商,盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称:盛美上海)也参加了此次CEF,并展示了该公司近一年来
    吴生semi
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  • 电子发烧友网报道(文/刘静)11月29日,北京京仪自动化装备技术股份有限公司(以下简称为:京仪装备)成功登陆上交所科创板,半导体设备行业A股上市再添新军。     此次科创板上市,京仪装备发行股票数量4200万股,每股定价31.95元,今天上市以60.12元/股开盘,开盘涨幅88.17%。目前来看本周上市的企业,暂时都没有出现破发的,而且开盘涨幅均在50%以上,股价走势表现良好。   截至14点56分,最新股价为55.83元/股,涨幅为74.74%,总市值93.74亿元。股
    夏里芳华
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  • 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)SiC供不应求,已经是行业共识。自从电动汽车兴起,特斯拉率先在电动汽车上大规模应用SiC功率器件,需求开始爆发后,产能不足成为了SiC应用扩张的最大障碍。
    lPCU_elecfans
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  • 电子发烧友网报道(文/程文智)这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错,GaN器件在快充上开始大规模应用,SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好,很多企业也一头扎入了第三代半导体产业当中。   就在第三代半导体在商用化之路上高歌凯进的时候,第四代半导体材料也取得了不少进步。不久前,在与2021第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会同期举办的“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”上,
    Wenzhi Cheng
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  • 据国际调研机构Statista 2023年最新调研数据显示,1月到8月,全球半导体销售月度指数同比去年是下滑的。但是在第三季度,我们看到全球半导体复苏的迹象。 半导体行业协会(SIA)近日发布数据显示, 2023年8月全球半导体行业销售总额为440亿美元,环比上月的432亿美元增长了1.9%, 但与2022年8月的472亿美元相比下降了6.8%。SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示:本月全球半导体销售额连续第六个月环比上升,表明今年中期市场需求增长缓慢而稳定。   从地区
    章鹰
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  • 从领域来看,华为拥有很多无线和其他通信技术相关的网络专利。腾讯重视电子邮件和认证等认证技术,蚂蚁集团拥有许多要求数据库处理的搜索语言相关专利。
    li5236
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  •  林本坚说:“美国真的应该做的是保持芯片设计的领导能力,而不是试图限制中国的发展”,这是徒劳的且将损害全球经济,因为中国大陆正在采取全面战略来发展其芯片产业。”
    li5236
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  • 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)最近国内关于第四代半导体的消息很多,特别是在材料制备方面似乎有不少新突破。我们熟知的碳化硅、氮化镓等第三代半导体又被称为宽禁带半导体,而第四代半导体的其中一个重要特征是“超宽禁带”,禁带宽度在4eV以上(金刚石5.5eV,β-Ga2O3 禁带宽度4.2-4.9eV)。   相比之下,第三代半导体中碳化硅禁带宽度仅为3.2eV,氮化镓也只有3.4eV。更宽的禁带,带来的优势是击穿电场强度更大,反映到器件上就是耐压值更高,
    梁浩
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  • 在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会(CSNC2022)上,第四代北斗芯片正式发布。
    焦点讯
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  • 中央电视台《新闻联播》报道了山西省转型发展取得的新成果。 《新闻联播》在报道中指出,在山西省半导体研究院,聚合了半导体技术研发生产的企业、高校和科研院所59家,依托研究院强大的技术实力,山西烁科晶体有限公司(以下简称“山西烁科晶体”)实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。 山西烁科晶体总经理李斌说,“通过我们整个研究院,企业之间也是能够互通有无,带动整个生态的创新。我们现在也在积极布局第四代的半导体材
    i2et_wc_ysj
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  • 中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利,难以容忍长期“只投入,不产出”的现状。因此,以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。
    lC49_半导体
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  • GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足,如在射频领域,SiC衬底生产商有天科合达、山东天岳等,GaN衬底有维微科技、科恒晶体、镓铝光电等公司。
    西西
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  • 万用表的使用方法大全 万用表的使用的注意事项 (1)在使用万用表之前,应先进行“机械调零”,即在没有被测电量时 ,使万用表指针指在零电压或零电流的位置上。
    电子工程师
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  • 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。
    jt_rfid5
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