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产品研发工程师 译码科技
湖北省 武汉市 测试测量
  • 功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体器件:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件)后来,随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展,现在功率半导体器件已经非常广泛,在计算机、通行、消费电子、汽车电子 为代表的4C行业(computer、communication、consumer electronics、cartronics)。在大多数情况下,它是被作为开关使用(switch),开关,简单的说,就是用来控制电流的通过和截断。那么,一个理想的开关,应该具有两个基本的特性:电流通过的时候,这个理想开关两端的电压降是零;电流截断的时候,这个理想开关
    Baekhyn0506
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  • 结型场效应管栅极反偏但仍有电流,MOS场效应管栅极绝缘,没有电流。
    jf_EPM6D1nS
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  • 电子发烧友网报道(文/黄山明)我们如今正处于信息时代,而存储作为信息的载体,对当今技术的发展至关重要。通常存储芯片是以半导体电路作为存储媒介的存储器,用于保存二进制数据的记忆设备,也是现代数字系统的重要组成部分。 伴随着AI服务器、车载等领域的快速发展,对存储需求也在快速提升,促使存储技术的加速迭代。近期,许多新型存储产品相继问世,也预示着存储技术已然进入到了爆发期。 首个300层以上4D NAND被披露 近日,SK海力士
    Simon
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  • 在手机中有三大件组成:CPU、内存DDR、存储设备(EMMC/UFS等),内存用以临时存储程序运行时所需的数据(掉电数据丢失),而存储设备用以长久保存数据(掉电数据不丢失)。
    冬至子
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  • TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力,而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头,半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。
    dnjK_WW_CGQJS
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  • 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
    mfwj888888
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  • 此方案的优势是器件可以扩容,也就是可以替换成容量更大的mos管。
    pecron
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  • 最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术,例如晶体管GAA(Gate All around)、背面供电以及3D IC。
    47wc_ICViews
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