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jf_01960162

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发布了文章 2024-4-28 16:16

利用贝塞尔光束、超短双脉冲激光和选择性化学蚀刻研究玻璃通孔(TGV)

引言玻璃可以用低成本的工艺减薄。因为它是透明的，所以比Si插入物更容易对准。此外，玻璃的热膨胀系数（CTE）是可调的。因此，它可以与器件层的CTE匹配以防止变形。因此，玻璃插入物在过去十年中得到了广泛的研究。有几种方法可以在玻璃基板上形成...

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发布了文章 2024-4-25 12:51

通信——通过表面电荷操纵控制锗的蚀刻

引言锗是下一代背面成像器的有希望的替代品，因为最近的同质外延生长已经产生了非常低的缺陷密度。锗的固有特性使其能够进行高速硬X射线检测，并在硅基本透明的近红外区域吸收。此外，锗适合作为日益发展的量子计算领域的潜在基础材料。超薄二极管器件的制...

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发布了文章 2024-4-8 15:32

硅晶片清洗：半导体制造过程中的一个基本和关键步骤

引言半导体是一种导电率介于绝缘体和导体之间的固体物质。半导体材料的定义属性是它可以掺杂杂质，以可控的方式改变其电子属性。硅是开发微电子器件时最常用的半导体材料。半导体器件制造是用于制造日常电气和电子设备中存在的集成电路的工艺。在半导体器件...

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发布了文章 2024-4-7 14:28

通过晶圆粘合来评估创新兆声清洗技术

引言自20世纪90年代以来，半导体晶片清洗目前被研究以解决前端和后端污染问题。主要问题之一是表面颗粒污染。微电子、MEMS或3D工艺中的许多应用需要非常干净的表面。其中，直接晶片键合(DWB)在颗粒清洁度方面有非常严格的要求。事实上，对于...

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发布了文章 2024-4-3 17:31

探究裸晶圆检测的重要性

引言随着逻辑和存储半导体器件接近摩尔定律，对层转移精度的要求也越来越严格。为了满足极紫外(EUV)光刻的需求，前沿的外延沉积基板需要具有比以前的基板更严格的规格。考虑到EUV光刻的更严格要求，英思特正在寻找新的解决方案，例如解决图像传输不...

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发布了文章 2024-3-29 12:40

利用氨等离子体预处理进行无缝间隙fll工艺的生长抑制

引言半导体器件的设计规则收缩是集成过程中每一步的一个挑战。在隔离的间隙-fll过程中，使用沉积工艺不能抑制接缝和空隙的形成，甚至具有良好的台阶覆盖。为了在高纵横比结构中实现无缝间隙fll，其具有非理想的负斜率，沉积过程应能够实现“自下而上...

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发布了文章 2024-3-19 13:19

为什么晶圆清洗在芯片设计和生产中很重要

半导体彻底改变了电子行业，并成为现代技术的重要组成部分。从计算机和智能手机到心脏起搏器和军事通信系统，半导体为各种设备提供动力。随着半导体技术的不断进步，确保其可靠性变得越来越重要。当今电子设备的复杂性和密度，包含复杂的电路、小型化的PC...

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发布了文章 2024-3-12 10:46

半导体湿法技术有什么优势

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为使用的化学品可以非常精确地适应单个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100:1。批量蚀刻在批量蚀刻中，可以同时蚀刻多个晶圆，过滤器和循环泵可防止颗粒到达晶...

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发布了文章 2024-2-28 15:39

通过X射线光刻在指尖大小的芯片中产生高精度微光学元件的晶圆级制造

引言在过去的二十年中，市场对大量N灰度级三维微纳米元件的需求一直很活跃。基于铅笔束的光刻技术，我们可以生产出精确的组件，但目前需要更长的时间去处理。使用X射线光刻制作的典型高纵横比结构，对膜的粗糙度或沉积在X射线掩模中作为吸收剂的晶粒尺寸...

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发布了文章 2024-2-21 16:53

锗化硅（SiGe）和硅（Si）之间的各向同性和选择性蚀刻机制

引言目前，硅的电气和热性能在微电子技术领域中应用广泛。锗化硅（SiGe）合金的使用频率越来越高，在互补金属氧化物半导体技术中，英思特通过使用SON结构以及进行各向同性刻蚀，将该工艺扩展到对Si进行Si选择性刻蚀。为了提高晶体管性能，基于...

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关注了版块 2023-5-2 16:07

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