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jf_69532565

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上腔室窗口温度对STI刻蚀工艺的影响 2012-05-04 17:09

本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现，当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时，刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiOxCly刻蚀产物再淀积。石英

辉子无敌1

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磁场中的带电粒子介绍 2022-12-07 17:00

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速到具有较高的能量，也因此能够提供更多的能量在离子轰击上。

kTV18033111188

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等离子体工艺回顾 2023-01-15 14:45

在ICP反应室中加入射频偏压系统就可以产生自偏压并控制离子的轰击能量。由于在高密度等离子体中的离子轰击会产生大量的热能，因此必须有一个背面気气冷却系统和静电夹盘控制晶圆的温度。

kTV18033111188

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半导体制造之等离子工艺详解 2022-12-29 17:28

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。

kTV18033111188

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等离子第一个电子是从哪里及如何产生的？ 2022-11-21 10:24

当两个电极通过射频高电压时，它们之间就产生一个交流电场。如果射频功率足够高，自由电子受到交流电场的影响被加速，直到获得足够的能量和反应室中的原子或分子碰撞产生一个离子和另一个自由电子。

kTV18033111188

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半导体行业：等离子工艺（七） 2022-12-19 15:11

下图显示了在一个不对称电极等离子体源中的电压情况，这两个电极具有不同面积。电流的连续性将产生所谓的自偏压，即在较小的电极上形成的负偏压。鞘层电压取决于两个电极面积的比例（见下图）。

kTV18033111188

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半导体制造之等离子工艺 2022-11-15 09:57

等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质沉积。离子注入使用等离子体源制造晶圆掺杂所需的离子，并提供电子中和晶圆表面上的正电荷。物理气相沉积(PVD)利用离子轰击金属靶表面，使金属溅镀沉积于晶圆表面。遥控等离子体系统广泛应用于清洁机台的反应室、薄膜去除及薄膜沉积工艺中。

kTV18033111188

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浅谈SiC道变器技术特性及系统优势 2023-01-09 10:36

相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆变器在这两点均具有一定优势。

jf_IvoARX3P

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