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jf_VdcjRWH9

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发布了文章 2023-2-27 10:29

封测领域无法避免价格战厂商低价格吸引成熟IC订单

据业内消息人士最新透露，封测领域也没能避免价格战，中国大陆封测厂商长电科技、通富微电和华天科技正在降低价格以吸引成熟IC的订单。...

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发布了文章 2023-2-23 14:37

2023年1月份国内折叠屏手机市场相关报告分析

2022年中国市场折叠屏手机销量达283万部，同比大幅增长144.4%，成为2022年智能手机市场为数不多的亮点之一，并且其预测，预测2023年的折叠屏市场销量将高于2022年。...

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发布了文章 2023-2-17 17:21

TSV的工艺流程和关键技术综述

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。...

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发布了文章 2023-2-8 14:54

中国突然公布6G新进展，美国在6G技术上的反超几乎没有希望

正是基于这些积累，中国的科研机构才能在太赫兹频段测试数据传输并实现全球最快的数据传输速率，巩固中国在6G技术上的领先优势，确保中国未来在制定6G技术上获得更多的主动权。...

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发布了文章 2023-2-3 14:28

高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压 SiC MOSFET 由于其单极工作模式，高击穿电压将严重限制器件的导通电流能力。例如对于10 kV 等级器件来说，室温下其电流等级约为 20~40 A/cm2 ，当温度增加到 200 ℃以上时，额定电流将下降 50%~70%。...

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发布了文章 2023-1-29 11:29

电子供应链为何充满不确定性？

IPC在2022年12月发布的经济展望报告显示喜忧参半。它证实美国的工业生产与11月的数字相比下降了0.2%，这是连续第二个月下降。然而，该国的消费品生产在过去一年中增长了1.8%。欧洲表现出类似的近期下降趋势，但过去一年总产出增长了4.4...

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发布了文章 2023-1-12 11:26

血氧仪都用到哪些芯片？

血氧仪主要测量指标分别为脉率、血氧饱和度、灌注指数（PI）。血氧饱和度（oxygen saturation简写为SpO₂）是临床医疗上重要的基础数据之一。...

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发布了文章 2023-1-11 16:06

碳化硅功率器件助力实现更好的储能

Wolfspeed的SiC功率器件目前广泛用于电源、电池充电和牵引驱动的电池电动汽车（BEV）功率转换、工业电机驱动以及太阳能和风能逆变器等可再生能源发电系统等应用。...

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发布了文章 2023-1-11 16:03

长电科技开发的先进封装技术已开始为国际客户进行芯片封装量产

长电科技开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4纳米节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500平方毫米的系统级封装。...

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发布了文章 2023-1-10 10:58

Mobileye信心满满，英伟达高通来势汹汹

根据 Gartner 9 月份的一份报告，这些自动驾驶汽车 AI 芯片从车辆传感器中摄取和处理流数据，是在短期内实现完全自动驾驶汽车梦想所必需的更容易获得的技术之一，但它们只是等式的一部分。...

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发布了文章 2023-1-3 10:39

数据中心爆发国产DDR IP前景广阔

随着5G通讯、物联网、自动驾驶、人工智能等应用蓬勃发展，暴增的数据量对计算性能、存储容量、数据传输速率都提出了更高要求。除了CPU核及运算密度，大容量内存与储存装置、内存数据存取能力也成为数据中心的核心，推动内存处理接口IP——DDR IP...

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发布了文章 2022-12-22 14:41

德州仪器分享：突破功率密度障碍的3种方法！

几乎每个应用中的半导体数量都在成倍增加，电子工程师面临的诸多设计挑战都归结于需要更高的功率密度。例如下面这几类应用：...

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发布了文章 2022-12-20 10:42

PCB行业发展及应对挑战的解决方案

　　高密度互连（HDI）的开发是为了满足对越来越小但功能越来越强大的产品的需求，尤其是在走线方面。此功能可减少PCB叠层中的层数并促进高速信号传输。高密度互连制造面临着制造走线的挑战，使得更多的走线可以在更小的区域内布线，这会引入噪声和...

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发布了文章 2022-12-16 11:19

OPPO正式发布第二颗自研芯片——马里亚纳MariSilicon Y

马里亚纳 MariSilicon Y 是 OPPO 的第二颗自研芯片，标志着 OPPO 自研芯片能力的再进一步。作为一颗技术超前的旗舰芯片，我们期待这颗芯片的关键技术，能够解决用户音频体验中“音质”与“智能”的关键问题，为下一代旗舰蓝牙音频...

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发布了文章 2022-12-2 11:43

世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底

近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。...

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