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学生 西南石油大学
北京市 通州区 学术研究/学生
  • 为了理解IGBT进入退饱和的过程机理,我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别:简单来看,IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子,这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制,从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子(电子和空穴),从而控制IGBT的导通和关断。
    Baekhyn0506
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  • 以avago公司的hcnr201线性光耦为例说明线性光耦的内部原理及隔离电路的原理。
    黄汉华
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  • 滤波电容是并联在整流电源电路输出端,用以降低交流脉动波纹系数、平滑直流输出的一种储能器件。在使用将交流转换为直流供电的电子电路中,滤波电容不仅使电源直流输出平稳,降低了交变脉动波纹对电子电路的影响,同时还可吸收电子电路工作过程中产生的电流波动和经由交流电源串入的干扰,使得电子电路的工作性能更加稳定。
    h1654155282.3538
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