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辽宁省 营口市 学术研究/学生
  • MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET称为四端器件,实际上那个体端一般跟源极相连接,所以在此还是将MOSFET看成三端器件。N沟道增强型MOSFET的图形符号如图2a所示,跟结型场效应晶体管一样,存在3种类型的MOSFET,它们的图形符号如图2b、c和d所示。在实际应用中,一般不特指时的MOSFET都是增强型MOSFET,即在栅极不控制时,漏极-源极之间可以承受正偏置电压。
    我快闭嘴
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  • 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对于主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通耗.
    h1654155282.3538
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