MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET称为四端器件,实际上那个体端一般跟源极相连接,所以在此还是将MOSFET看成三端器件。N沟道增强型MOSFET的图形符号如图2a所示,跟结型场效应晶体管一样,存在3种类型的MOSFET,它们的图形符号如图2b、c和d所示。在实际应用中,一般不特指时的MOSFET都是增强型MOSFET,即在栅极不控制时,漏极-源极之间可以承受正偏置电压。