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P0rc_hzwtech

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发布了文章 2022-9-16 15:18

枝晶取向转变(DOT)与各向异性界面能的关系

枝晶取向转变(DOT)发生在许多合金中，如Al-Zn、Al-Cu、Al-Ge、Al-Sm、Al-Zn-Cr、Cu-Ni、Mg-Al等。对于Al-Zn合金，当Zn的质量分数大于10%时，自然时效倾向大，无需热处理即可获得较高的强度。...

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发布了文章 2022-9-15 16:44

基于金属纳米线非共线自旋计算

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内唯一一款拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - ...

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发布了文章 2022-9-15 16:38

基于单一材料的新型维材料异质结的替代方法

近年来，具有原子尺度厚度材料的发现和研究为设计各种二维异质结构提供了新的可能性。通过调控异质结的结构构型和组成异质结的材料间的带阶匹配，能够使异质结的电子性质得到极大的改变，甚至能够得到与其组分性质完全不同的新的电子性质。...

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发布了文章 2022-9-15 16:34

Si偏聚对形核基底原子有序性及α-Al外延形核难易程度的影响

Al-Si系合金是种类最多、使用量最大的一类铸造铝合金，被广泛用于制造汽车车身薄壁件、发动机部件、传动系统部件、复杂外形的散热器、油路管道等。...

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发布了文章 2022-9-15 16:26

如何使用MOMAP软件计算S1→S0的荧光辐射速率

在使用量化软件BDF完成Azulene的基态和激发态的结构优化、频率计算以及非绝热耦合的计算，并计算完MOMAP输入文件中需要的参数后，接下来将使用MOMAP软件对azulene的S1→S0的辐射速率和内转换速率进行计算，通过对比辐射速率和...

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发布了文章 2022-9-15 11:32

鸿之微与伙伴共建联合实验室助力我国集成电路产业的发展

9月，鸿之微与北京大学共建的“微纳电子器件仿真联合实验室”成立仪式在北京举行，部分嘉宾线上出席。...

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发布了文章 2022-9-14 15:13

如何计算硅的电子结构和光学性质

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性...

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发布了文章 2022-9-14 15:10

单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料为单晶NCM正极构建稳定结构和界面

单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料因其高放电容量和良好的电化学性能而受到广泛关注，然而，单晶材料在高压下循环会发生严重的晶格畸变和电极/电解质界面副反应，影响材料的性能。...

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发布了文章 2022-9-13 16:46

NAMD计算结果与实验结果差别的主要原因是什么

半导体器件在光照和电偏压等外界条件作用下会产生非平衡载流子。非平衡载流子的寿命对半导体器件性能有关键性影响，例如，光伏和发光器件的效率、电子器件的开关速度和功耗等都依赖于非平衡载流子寿命的长短。...

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发布了文章 2022-9-13 16:06

鸿之微推进材料设计与研发的数字化和数据库化升级

2022年9月，复旦管院创投俱乐部校友团一行二十余人来到鸿之微科技（上海）股份有限公司进行实地调研与交流。鸿之微董事长曹荣根博士热情地接待了到访嘉宾。...

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发布了文章 2022-9-13 16:01

Device Studio器件的自洽计算

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性...

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发布了文章 2022-9-9 16:29

Nanodcal如何生成graphene原胞电声耦合项数据文件

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性...

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发布了文章 2022-9-9 15:24

Bi2Se3和Bi2Te3系统中拓扑表面态的电子有利于氢还原过程

电子晶体中存在“剩余”的电子，这些电子被束缚在晶格间隙的位置。这一特殊的电子结构有利于实现形成拓扑材料所需的能带翻转。...

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发布了文章 2022-9-9 15:12

计算和分析具有HfO2介电区绝缘硅（SOI）器件的电学特性

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，即栅源电压VG控制漏极电流ID。...

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