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P0rc_hzwtech

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发布了文章 2023-2-3 11:44

EDA技术探索之源漏穿通解析

以NMOS为例在源漏穿通发生之后，对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后，有一定可能被电场直接扫进漏极，进而被漏极收集，从而实现电流从源极到漏极的导通。...

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发布了文章 2023-2-2 16:30

用于柔性储能与碱性水裂解的杂化结构界面设计

近年来，为了缓解环境危机和实现可持续能源经济的目标，世界各国的能源结构都应该向低碳转型。因此，有必要开发可再生能源来替代传统化石燃料。先进的储能和转换装置在其中是至关重要的组成部分。...

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发布了文章 2023-2-2 16:27

DS-PAW band能带计算

本节将从自洽出发介绍如何使用DS-PAW计算能带和投影能带。以Si体系为例进行自洽计算（见2.2节），自洽完成之后准备能带计算和投影能带计算，并对能带和投影能带作图分别进行分析。...

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发布了文章 2023-2-2 10:55

激发态分子内质子转移及荧光光谱的理论研究

通过密度泛函理论(DFT)和波函数从头算方法(NEVPT2)，本项目研究了10个酮分子和5个醛分子的激发态质子转移过程以及它们的荧光发射谱。结果表明在光照条件下，体系首先被激发到定域的明态(ππ*)。...

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发布了文章 2023-1-31 15:29

DS-PAW scf自洽计算的内容

第一性原理平面波密度泛函计算软件DS-PAW是Device Studio平台下的一款使用C++开发的国产第一性原理密度泛函计算软件，使用平面波作为基函数组，其赝势是使用投影缀加平面波方法构造的。...

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发布了文章 2023-1-31 12:19

EDA探索之GIDL技术分析

一般来讲，我们认为器件在线性区漏极电压很小，没有GIDL现象。从上图明显可以看到在0V时Idsat曲线比Idlin曲线的电流高了两个数量级。在反方向继续扫描Idsat曲线，Ioff反而会进一步升高。...

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发布了文章 2023-1-17 16:18

Nanodcal 电池与储能介绍

cal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射...

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发布了文章 2023-1-17 15:01

本征PtX2（X=O,S,Se,Te）的热电输运性质

在室温下ZT值大于1.0的二维热电材料在能量转换中是非常可取的。在此，我们研究了二维PtX2 (X = O, S, Se, Te)单层膜在弹道传输区的热电性能。二维PtX2单分子膜在导带中几乎有退化的谷...

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发布了文章 2023-1-17 14:57

二维Na₃Bi中本征铁电量子自旋霍尔效应的理论研究

本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论等第一性原理方法对二维表面聚合Na3Bi进行了系统研究，发现其具备较高面外铁电极化(0.59 uC/cm2 )、较大非平庸带隙(0.36 eV)和较低能量过渡势垒(9.26 meV/f.u.)等优良特性...

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发布了文章 2023-1-16 17:53

关于全固态锂金属电池的高性能硫化物电解质

全固态电池具有安全、能量密度高、适用于不同场合等优点，是最有发展前景的锂离子电池之一。硫化物固体电解质（SSE）因其良好的离子导电性和加工性而受到人们的欢迎。然而，由于SSE导体暴露在空气中时是不稳定的，这限制了其发展和应用。来自北京科技...

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发布了文章 2023-1-11 14:26

催化诱导硫化锂的电子结构转变研究取得进展！

近日，中国科学院金属研究所研究人员在前期高效锂硫电池催化剂研究基础上（Nat. Commun. 2017, 8, 14627; J. Energy Chem. 2021, 54, 452; Batteries Supercaps 2022,...

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发布了文章 2023-1-11 14:20

Nanodcal声子与热输运（声子性质、热输运和热电性质02）

与自洽计算一样选中 BandStructure.input 右击 run 。等待计算完毕后点击 JobManager 所示界面中的 Action 下的下载按钮下载 BandStructure.mat 、 BandStructure.fig ...

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发布了文章 2023-1-7 11:46

EDA技术探索之DIBL应用分析

DIBL不仅只发生在亚阈值区，引起阈值电压的下降。在饱和区晶体管导通后，由于势垒的降低，同样会引入更多的载流子注入，从而降低晶体管的导通电阻。...

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发布了文章 2023-1-3 15:32

DASP 2022B版本发布四大模块功能上新

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质的第一性原理计算模拟软件。该软件包能针对输入的半导体晶体结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并...

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发布了文章 2022-12-30 15:14

如何突破EDA封锁卷起来的阈值电压

Vt roll-off核心是（同一个工艺节点下面）阈值电压与栅长之间的关系。当沟道长度比较长的时候，Vt值是比较稳定的。随着沟道长度的减小，阈值电压会下降（对于PMOS而言是绝对值的下降）。...

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