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广东省 深圳市 设计开发工程
  • 什么是框架? 程序框架其实就类似一个文件大纲或者模板。因为写程序就类似于写文章,如果没有大纲或者模板那么你写起来就会比较费劲。 为什么要有框架? 节约时间,减少错误。因为对于一种类型的程序它们代码结构体逻辑是一样的,同时有大量相似或者共同的地方。我们可以将这些共同的地方抽出来形成一个固定的程序框架,那么我们再开发新的同一种类型的程序时就可以套用这套框架。 这样会大大提高我们的开发效率,同时由于这个框架是一
    VINi_fcsde_sh
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  • 屏蔽就是用金属对两个空间区域进行隔离, 用以控制一个空间区域的电场、 磁场和电磁波对另一个空间区域的影响,通常的手段为感应和辐射。
    jf_QSw6BD7f
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  • 如图所示为一种小功率开关电源电路,适用于交流适配器、电池充电器、辅助电源(USB)、仪表等电路中。该电路主要是由220V交流输入电路、整流滤波电路、PWM控制电路(NCP1200)、反峰脉冲吸收电路、开关变压器及次级输出电路等部分构成的。交流220 V经桥式整流堆输出约300 V直流电压,经开关变压器Tl的初级绕组后加到开关场效应晶体管的漏极,同时为开关振荡集成电路NCP1200@脚提供电压,NCP1200起振,@脚输出开关脉冲并驱动场效应晶体管,输出振荡信号。振荡后,开关变压器输出,再经整流滤波后输出6.5 V直流电压。
    chencui
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  • 介绍在PCB电路板中通用的一些标准,看看你的板子都做到了哪些?
    攻城狮华哥
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  • 在电子元器件的种类中,三极管是非常重要的一种基本元件,当然也是用的最多的元件,对它的了解真的很有必要。首先三极管有三个工作状态:截止,放大,饱和;其中放大是最常用也是最重要的部分,放大状态很有学问也很复杂,多见于集成芯片,比如运放等,暂时不做详细的讨论;三极管更多的是当做一个开关来使用,也就是只用截止和饱和两种状态。
    袁磊琴
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  • 关于三极管,我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理,现在我们算是温故而知新,那么最好是带着问题去看。
    machao1680
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  • ▼关注公众号: 工程师看海▼   在现代科技快速发展的时代,电子设备无处不在,而硬件电路设计是实现这些设备功能的基础。无论是智能手机、电脑、家用电器,还是工业控制系统,都需要经过精密的电路设计来实现功能和性能的优化。成为硬件电路设计高手不仅意味着拥有稳定的职业前景,更意味着能够参与和创造未来科技的核心。 本文将介绍一条通往硬件电路设计高手之路的指南,帮助各位同学掌握必要的知识和技能。   I. 基础知识的掌握 成
    h1654155865.1161
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  • 经过半导体制造(FAB)工序制备的电路图形化晶圆容易受温度变化、电击、化学和物理性外部损伤等各种因素的影响。为了弥补这些弱点,将芯片与晶圆分离后再进行包装, 这种方法被称为“半导体封装(Packaging) ”。与半导体芯片一样,封装也朝着“轻、薄、短、小”的方向发展。但是,当将信号从芯片内部连接到封装外部时,封装不应起到阻碍作用。封装技术包括“内部结构(Internal Structure)技术”、“外部结构(External Structure)技术”和“表面安装技术(Surface Mounting Technology,简称 SMT)”。
    dYXieligang4
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  • MOS管的死区损耗计算 2023-07-23 14:03
    MOS 管在逆变电路,开光电源电路中经常是成对出现,习惯上称之为上管和下管,如图Figure 1中的同步Buck 变换器,High-side MOSFET 为上管, Low-side MOSFET为下管。
    Baekhyn0506
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  • TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管,是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件,亦称TVS管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态电压抑制器、雪崩击穿二极管等,有单向和双向之分。当TVS二极管的两端经受瞬间高能量冲击时,它以PS秒级的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,把它的两端电压箝制在一个预定的数值上,从而保护后面的精密元器件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。
    jf_EPM6D1nS
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  • 晶体三极管是控制电流的半导体器件,工作原理是通过在三极管的两端施加合适电压来控制三极管另一端的电流,主要作用是用于开关、放大等。
    kae1_cdebyte
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  • 场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。<源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate,门一样的存在,和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
    倩倩
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  • 在无光照射时,光电三极管处于截止状态,无电信号输出。当光信号照射光电三极管的基极时,光电三极管导通,首先通过光电二极管实现光电转换,再经由三极管实现光电流的放大,从发射极或集电极输出放大后的电信号。
    倩倩
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  • 并联三极管基极引发的问题 这里的问题是这样的,一个控制口给三个PNP的管子的基极供电,失效的时候是一个管子不能进入饱和区,由于每个管子的VBE和HFE的初始值
    电子工程师
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  • 1、如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小   MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。     2、栅极电阻阻值过大   MOS管导通时,Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时,MOS管导通速度过慢,即Rds的减小要经过一段时间,高压时Rds会消耗大量功率,导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散,MOS温度迅速升高。     3、在高压下,PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分
    GReq_mcu168
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