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SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势
2024-1-20 17:18

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。...

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GaN和SiC在功率转换领域有哪些差异
2024-1-11 10:19

采用氮化镓的 LED 照明已经大幅减少了全球的用电量，预计十年后节省的电量可能高达 46%。但在电力消耗方面，另一种电子技术可能在减少全球碳排放的关键驱动力中发挥更大的价值，那就是电力转换。...

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世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体
2024-1-10 10:20

石墨烯是一种单层石墨，由碳原子以六角形蜂巢晶格排列而成。它的特性超薄、超轻、超强，拥有高电荷载流子迁移率、双极场效应以及优异的电学和机械性能。...

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氮化镓的发展难题及技术突破盘点
2024-1-10 09:53

同为第三代半导体材料，氮化镓时常被人用来与碳化硅作比较，虽然没有碳化硅发展的时间久，但氮化镓依旧凭借着禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度高和抗辐射能力强等特点展现了它的优越性。...

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赛默飞iDPC-STEM技术助力钙钛矿研究
2024-1-9 18:21

STEM虽然获得了快速的发展，但是在实际应用中存在2个突出的瓶颈，即轻重元素原子的同时成像问题和对电子束敏感材料的成像问题，从而制约了STEM技术在材料研究中的应用。...

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浅谈三维单片异构集成的发展历程
2024-1-9 10:15

基于二维材料的电子器件展现出巨大潜力，这些材料具有极低的刚度和几乎为零的内应力，或许能够完全摆脱传统刚性三维材料在三维异质集成技术中的物理限制。...

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CVD成为工业制造应用更优选
2024-1-8 11:02

金刚石具有低密度、高弹性模量、高强度、高热导率、化学惰性和生物相容性等优异特性，在声学领域主要应用于高保真喇叭、声表面波器件、声传感器等。...

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宽带隙钙钛矿太阳能电池的挑战与应用展望
2024-1-8 10:50

在过去的几年里, 钙钛矿材料表现出高效率、低成本的绝对优势, 特别是钙钛矿材料由于灵活可调的禁带宽度 (1.2—2.5 eV) 为其在多结叠层太阳电池、彩色太阳电池以及光电催化中的应用提供了先决条件。再加之简单低温溶液制...

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碳纳米管晶体管兼容已有半导体制程工艺，解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
2024-1-5 16:08

研究中，他们提出了一种顶栅互补碳纳米管金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在该结构中，通过将掺杂仅仅局限在延伸部分，而在通道保持未掺杂的状态，凭借...

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再突破！通威HJT组件功率达到755.03W，转换效率突破24.31%
2024-1-5 15:59

光伏行业发展到今天，HJT技术已经成为了备受关注的主流技术路线之一。为推动HJT技术的发展，通威研发团队将持续在双面微晶等电池技术、先进铜互连金属化技术、90μm薄片化技术及具有通威特色的0BB组件技术等方面进行联合攻关...

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世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体
2024-1-5 10:41

由于石墨烯缺乏本征带隙，半导体石墨烯在石墨烯纳米电子学中起着重要作用。在过去的二十年中，通过量子限域或化学官能团化来改变带隙的尝试未能生产出可行的半导体石墨烯。...

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太阳能电池封装光学损失研究
2024-1-5 10:32

太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失。...

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CVD金刚石在机械密封领域中的应用
2024-1-4 10:17

随着科技的不断发展，金刚石在许多领域中都展现出了巨大的应用潜力。其中，化学气相沉积（CVD）金刚石由于其独特的物理和化学性质，尤其在机械密封领域中有着广泛的应用前景。...

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太赫兹真空器件的重要组成部件
2024-1-4 10:03

太赫兹波处于电磁波谱中电子学与光子学之间的空隙区域，具有不同于低频微波和高频光学的独特属性，在无线通信、生物医学、公共安全等军事和民用领域具有广泛的应用前景。太赫兹技术重点是对太赫兹波的产生和传输进行研究，当前所面临问题...

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雷达电子设备组件金刚石/铜复合材料散热基板热性能研究
2024-1-4 10:02

随着电子技术的不断发展，现代电子设备愈发往体积小、重量轻的方向发展，性能和功能越来越强大，集成度越来越高，内部热量的排散问题就更为突出。...

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