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钙钛矿太阳能电池稳定性要求所涉及的必要测试环节
2024-4-24 10:53

通过制定和遵循相应的国际标准，可以有效地提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和可靠性，推动其商业化进程。...

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钙钛矿太阳能电池生产的slotdie技术探析
2024-4-24 10:50

狭缝模头具有高纵横比出口，可控制涂料液体最终输送到基材上。这导致在基材上连续生产宽涂层材料，其宽度可根据缝模出口的尺寸进行调整。...

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影响钙钛矿太阳能电池稳定性的因素
2024-4-24 10:48

周围环境中存在的水分对钙钛矿电池的制备和测试影响具有双面。研究发现，在一定的湿度条件下，周围环境中的水分将会有利于钙钛矿薄膜的生长结晶，减少薄膜中存在的缺陷，提钙钛矿薄膜的结晶质量，增强薄膜的载流子寿命，从而器件的光伏参...

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二元有机太阳能电池效率新纪录诞生
2024-4-24 10:45

基于BrBACz的OSC获得了19.70%的PCE, JSC为29.20 mA cm-2, VOC为0.856 V，这是迄今为止报道的二元OSC的最高值。...

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钙钛矿太阳能电池退火工艺的研究与探索
2024-4-16 11:07

钙钛矿退火是一个多目标的过程，旨在通过去除残余溶剂、稳定晶体结构、提高电子迁移率、消除杂质、调整结晶度和晶体形态、提高稳定性和耐久性以及促进薄膜的形成和生长，来提升钙钛矿电池的整体性能和使用寿命。...

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钙钛矿叠层电池：Topcon与HJT底电池性能对比研究
2024-3-27 10:42

异质结电池结构相比Topcon 电池本身更适合叠层: 因为钙矿电池与异质结电池进行叠层，异质结电池表面本身就是 TCO，异质结电池的产线无需做更改。...

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碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究
2024-3-26 10:50

Si-Si键能大小为 310 kJ/mol，可以理解键能是把这两个原子拉开的力度，键能越大，需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å，键能大小为 447 kJ/mol。...

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碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较
2024-3-19 13:57

Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。...

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水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计
2024-3-13 14:31

利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。...

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光刻机精密碳化硅陶瓷部件揭秘
2024-3-7 10:31

集成电路制造关键装备要求零部件材料具有高纯度、高致密度、高强度、高弹性模量、高导热系数和低热膨胀系数等特点，且且结构件要具有极高的尺寸精度和结构复杂性，以保证设备实现超精密运动和控制。...

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碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图
2024-2-27 10:28

中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加，碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。...

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深入分析国产车规级芯片的产业发展现状
2024-2-21 17:35

根据功能划分，车规级芯片主要分为四类：计算及控制芯片、功率芯片、传感器芯片及其他芯片。计算及控制芯片以微控制器和逻辑 IC 为主，主要用于计算分析及决策。...

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2024年光伏产业：N型产能规划引领未来
2024-1-29 09:50

目前我国在硅料、硅片、电池片和光伏组件四大主链环节均已培育了世界级龙头厂商，全球硅料出货Cr5、全球电池片出货Top5、全球光伏组件Top10，以及硅片环节的龙头厂商均为国内厂商。...

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光伏行业钙钛矿电池出现火爆现象
2024-1-9 10:12

公司组件销售正常，相关经营数据请关注公司公告。公司作为光伏行业高纯晶硅和太阳能电池环节的世界级龙头企业，深耕光伏行业多年，实现了产业链相关技术深厚的积累。...

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这几张关于碳化硅的图值得研究
2024-1-4 11:33

在新能源汽车方面的应用主要有主驱逆变器、车载充电器OBC、DC/DC等；在充电基础设施方面的应用主要有快速直流充电、无线充电、工业充电器等。...

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