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j9LI_SiC_GaN

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发布了文章 2023-2-27 11:55

建多条产线意为国产SiC补缺口

2022年我们主要聚焦于碳化硅长晶热场材料和多孔石墨材料的开发。在针对不同类型长晶炉的保温需求方面做了各自适配的固化毡产品。...

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发布了文章 2023-2-24 14:25

2023年第三代半导体GaN与SiC MOSFET的发展前景

GaN与SiC 冰火两重天。GaN受消费类市场疲软的影响，市场增长微乎其微。SiC在光伏新能源、电动汽车以及储能、充电桩等行业取得了快速发展。...

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发布了文章 2023-2-20 15:14

GaN价格及市场规模的发展趋势

根据行家说 Research 数据显示，2021年，全球GaN 功率器件营收规模约为 1.66 亿美元，其中消费类电子市场为0.95亿美元，通信与数据中心市场为 0.32 亿美元，工业市场为 0.09 亿美元，汽车市场约为 500 万美元。...

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发布了文章 2023-2-7 14:16

2023年SiC MOSFET产业市场需求将剧增？

这家美国制造商称，这两款设备的功率分别为200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的开关频率是硅IGBT的20倍，SiC组件为 400 kW 逆变器提供了 4 kW/kg 的功率密度。...

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发布了文章 2022-12-20 15:53

首款氮化镓光伏逆变器，额定输出功率高达2800W

资料显示，BENY BYM2800微型逆变器额定输出功率为2800W，峰值效率为97.5%（欧洲效率为97%），可连接4个面板，并通过监控每个模块的发电量实现模块级维护和管理。...

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发布了文章 2022-12-8 11:50

中国采用氮化镓实现了20米无线输电

氮化镓不仅受到近距离无线充电的欢迎，比如高合汽车采用GaN无线充电，而且远距离无线输电也在采用氮化镓技术。...

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发布了文章 2022-11-23 11:50

基于GaN单晶N极性HEMT器件

这是NEDO关于“加强后5G信息通信系统基础设施研究开发项目”的成果。2020年6月，NEDO发布了该决定，并计划让住友电工从事高频器件高功率、小型化技术的开发。...

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发布了文章 2022-11-18 10:08

广州企业发布6英寸900V硅基氮化镓外延片

该外延片专为新能源汽车电驱系统开发，以适用目前更高效的800V电压架构。并且该外延片基于国产设备开发，完全自主可控。...

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发布了文章 2022-11-17 09:49

辽宁将建第三代半导体材料项目

新瑞半导体成立于2022年8月，是中民实业和嘉实晶体（也成立于2022年8月）的合资公司，中民实业成立于2018年，共有地产、科技、金融、文旅等四大业务板块。...

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发布了文章 2022-10-28 15:53

中电化合物总投资10.5亿元建设的宽禁带半导体材料项目

根据公告，中电化合物将分二期建设该项目：一期计划投资2.2亿元，租用杭州湾数字产业园1万平方米厂房，二期征用土地70亩，形成年产8万片4-6寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓N外延片生产能力。...

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发布了文章 2022-5-12 10:45

新开发了一种GaN衬底减薄技术——激光减薄技术

而此次他们通过实验证明，该技术同样适用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工艺进行减薄，该技术可显著降低 GaN 衬底的消耗。...

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