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三极管开关原理与结型场效应管(N沟道JFET)工作原理 2018-03-18 09:36

在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压(硅管要大0.7V，锗管要大0.3V)而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成Ie;但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成Ic;基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。

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