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英飞凌工业半导体

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米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策
2023-3-3 16:04

搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图中，绿色的波形是GE电压...

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新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI技术的三相栅极驱动器
2023-2-22 11:11

新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技术的三相栅极驱动器EiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装，适用于IGBT（绝缘栅...

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请教如何解决FF1400R17IP4模块双脉冲测试电流振荡？
2023-2-13 11:32

“做双脉冲实验时VCE电压振荡很大是为什么？”“英飞凌的产品文档在哪里查找？”“IGBT桥臂模块叠层铜排结构是否合理，是否需要优化？”当你有任何技术问题，却苦于无法快速得到专业工程师的回复时，（InfineonDevel...

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新品 | IMI111T - iMOTION™带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块
2023-2-6 11:03

新品IMI111T-iMOTION带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4AIPM,在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机，目标应用为大小家电和...

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新品 | -1A/2A，160V MOTIX™三相SOI栅极驱动器
2023-1-31 10:35

新品-1A/2A，160VMOTIX三相SOI栅极驱动器-1A/2A，160VMOTIX三相栅极驱动器，带有集成的电源管理单元（PMU）、电流感应放大器（CSA）和过流保护（ITRIP）。产品型号：6ED2742S01Q...

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新品 | EasyPACK™ 2B 75A 1700V IGBT三相桥模块和2200V EasyBRIDGE整流模块
2023-1-29 17:41

新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRI...

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新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二极管的三路45A 三电平Boost MPPT模块
2023-1-29 11:47

新品光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块，由950VIGBT7和1200VSiC二极管构成相关器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3...

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是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案
2023-1-17 09:22

作者简介作者：sureshthangavel翻译：赵佳与硅技术相比，SiCMOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键...

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如何手动计算IGBT的损耗
2023-1-14 10:05

现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识...

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SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？
2023-1-12 14:34

众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延...

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探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-1-12 14:33

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性...

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新品 | 采用IPM IM323 1500W电机驱动的评估板
2023-1-12 14:32

新品采用IPMIM3231500W电机驱动的评估板评估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的评估，它的目标应用为三相电机驱动，大家电，如空调、泵、风扇和其他变频驱动器。产品型号：EVAL-M1...

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通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
2023-1-12 14:29

作者：HubertBaierl，英飞凌科技市场总监校对：柯春山英飞凌科技高级主任工程师像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在3.3kW开关电源(SMPS)中，产品效率高达98%，1U结构尺寸，其功率密度可达100W/...

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探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-1-4 10:02

SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN二极管的双极电荷影响较小。...

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当.XT技术遇上SiC单管
2022-5-10 09:54

英飞凌于2020年发布了基于.XT技术的D2PAK-7L封装1200VSiCMOSFETSMD系列产品，导通电阻从350mohm到30mohm，覆盖功率范围最高可到20kW，产品目录下图1。图1.英飞凌D2PAK-7L1...

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