英飞凌工业半导体的文章_SIC,工业控制,数字化 - 电子技术论坛

英飞凌工业半导体

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来自英飞凌开发者社区的10问10答——IGBT篇
2023-8-2 08:17

Q在IGBT器件的开通过程中，栅极电荷Qg的充电过程是怎样的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示，给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT器件简化示意图。栅极电荷的充电过程...

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基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计
2023-7-31 22:55

随着现代机床向高速、高精度方向发展，对机床主轴的技术要求越来越高。电主轴作为高速机床的重要组成部件之一，因其转速高、体积小和优异的动态性能等特性，可有效提高机床的动态平衡，避免了振动和噪声。主轴电机放置在机床的主轴单元内...

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使用新型160V MOTIX™三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第一部分）
2023-7-31 22:55

作者简介作者:SrivatsaRaghunath翻译：赵佳MOTIX三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上...

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使用新型160V MOTIX™三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第二部分）
2023-7-31 22:54

作者简介作者:SrivatsaRaghunath翻译：赵佳6ED2742S01Q是一款用于电池供电应用的高性价比、易于使用的栅极驱动器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的宽工作电压范围，是12V、24V、4...

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200kW储能用EasyPACK™ 3B三电平模块
2023-7-31 17:56

新品200kW储能用EasyPACK3B三电平模块F3L225R12W3H3_B11NPC1三电平EasyPACK3B模块采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二极管。它为ESS双向功率变换进行了优...

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6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）
2023-7-31 17:55

新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiCMOSFE...

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英飞凌的SiC MOS需要负压吗
2023-7-31 17:30

IPAC|2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师孙辉波、赵佳、郝欣与大家探讨了CoolSiC沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT、冷切割技术与应用。直播时...

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新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
2023-7-31 16:57

新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热...

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零碳故事丨新能源“东风”下的第三代半导体
2023-7-6 10:07

来源：内容转自公众号21tech（News-21），作者：李强。于代辉英飞凌科技高级副总裁英飞凌科技零碳工业功率事业部大中华区负责人减碳趋势下的节能、高效需求同样给第三代半导体的登场搭好了舞台。过去一段时间，尽管全球消费...

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晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算
2023-7-1 10:10

功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应...

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抢占席位｜2023英飞凌宽禁带应用技术发展论坛
2023-6-30 10:08

主办单位：英飞凌科技（中国）有限公司协办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司合作媒体：世纪电源网、电源网：7月11日：上海国家会展中心伴随科技高速发展，随之带来的气候和能源挑战愈演愈烈。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导...

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英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块助力推动节能电气化列车低碳化
2023-6-22 10:14

为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们需要采用具备高功率密度、高可靠性和高质量的节能牵...

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采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点
2023-6-13 09:39

/引言/近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设...

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提升新能源车电驱方案中单管封装的散热性能
2023-6-5 10:20

经典单管TO直插封装有两类TO-220和TO-247，其使逆变器系统并联扩容灵活，器件成本优势明显，且标准封装容易找替代品，广泛应用于中小功率范围。在单管电驱应用方案中可以覆盖30kW到180kW功率范围，最多需要6-8...

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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用
2023-5-31 16:51

/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机等应用进行了专门的优化，并配...

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