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英飞凌工业半导体

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新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装
昨天 01:03

新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成...

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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
前天 01:00

英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN650VG5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和...

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功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
4 天前

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设...

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第三届电力电子科普作品创作大赛启航
6 天前

电力电子技术，这一在新能源发电、输配电及高效用电领域扮演着举足轻重角色的科技力量，已悄然渗透至我们生活的各个层面。它凭借高效的功率变换技术，不仅推动了生产活动的绿色节能转型，更让我们的生活变得更加舒适便捷，出行方式也更加...

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新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装
7 天前

新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计...

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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
2024-11-19 01:01

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地...

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第二届电力电子创作大赛圆满收官，优秀作品连连看！
2024-11-17 01:02

在新能源发电、输配电及高效用电领域，电力电子技术默默扮演着举足轻重的角色，却常隐于幕后，不为公众所广泛认知。为揭开这位科技巨擘的神秘面纱，中国电源学会科普工委与英飞凌科技（中国）有限公司共同主办第二届电力电子创作大赛，旨...

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新品 | 16A 230 VAC或350 VDC交直流固态断路器参考设计板
2024-11-16 01:04

新品16A230VAC或350VDC交直流固态断路器参考设计板REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A固态断路器(SSCB)套件用于快速评估交流和直流断路器，带交互式图形用户界面。该套件包含两块电路板，支持230VA...

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新品 | D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP™的IGBT7系列
2024-11-14 01:03

新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK和DPAK封装（TO26...

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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
2024-11-12 01:04

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设...

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新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块
2024-11-8 01:03

新品符合AQG324标准的车载充电用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模块符合AQG324标准的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一个集成的直流缓冲器Snubber电路。完美...

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英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目
2024-11-7 08:03

11月5日，英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（WorldElect...

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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
2024-11-5 08:02

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统...

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新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V
2024-11-1 08:06

新品CoolSiC肖特基二极管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二极管2000VG5系列在高达1500VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术，该二极管具有一流的散热性...

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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
2024-10-31 08:04

•英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司；•通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上；•新技术可用于各种应用，包括英飞凌的AI赋能路线图；•超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。继...

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