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学生 南昌大学科学技术学院
北京市 西城区 学术研究/学生
  • 场效应管原理详解 2019-06-19 11:16
     N沟道结型场效应三极管的结构如图1所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极。
    倩倩
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  • P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。
    jf_f8pIz0xS
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