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博世半导体Georges Andary：碳化硅成为绿色出行发展的关键助推器
2023-5-30 14:52

节能减碳的背景下，世界各国加快以新能源为主的能源结构转型调整，构建绿色低碳安全高效的新型能源供应体系。巴黎协议2020已有超过200个国家签署，很多国家和汽车制造商已经宣布了减少碳排放的计划，为实现碳中和全球共同目标而努...

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MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
2023-5-25 16:11

摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维导电材料Ti3C2Tx ...

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瀚薪科技完成B轮融资，已出货碳化硅二极管、MOSFET超3000万颗
2023-5-25 10:34

根据公司披露：上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围，最大额定电流40A，...

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基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
2023-5-25 10:13

近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。...

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新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
2023-5-24 16:24

新微半导体40V氮化镓功率器件工艺平台拥有较大的工艺窗口，并具有良好的一致性和稳定性的工艺保障。其采用的无金工艺，RC<0.4 Ω·mm；栅极采用自对准工艺，使得栅极形貌良好，且最小线宽低至0.5µm。...

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功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”
2023-5-16 10:45

近期国际功率半导体巨头英飞凌拓展碳化硅材料供应商体系，签约国产碳化硅衬底头部产商天岳新进、天科合达。在业内人士看来，其重要性被业内认为堪比消费单子厂商纳入“苹果产业链”。...

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纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管
2023-5-12 14:32

这款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS)二极管采用独特的PiN-Schottky结构，提供低内置电压偏置（低门槛电压）以实现在各种负载条件下的最高效率和卓越的鲁棒性。应用领域包括服务器/电信电源的PFC电路、工业电...

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南邮科研团队在氧化镓日盲紫外阵列成像器件研究中获新突破
2023-5-12 14:29

迄今，基于Ga2O3的光电探测器阵列尽管具有相当好的光响应性能，但仍然缺少一定数目的单元。唐为华教授团队2018年最早报道了16单元的Ga2O3矩形阵列【IEEE Photon. Technol. Lett., 2018...

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采用SiC电机驱动的混合动力飞机，成功试飞！
2023-5-10 10:34

像塞斯纳 337 这样的小型飞机主要用作岛屿地区和偏远地区的短程飞机，会配置两个燃油发动机，可以执行高要求的空中推进和加速任务，以及滑行、巡航和着陆等较轻的任务。但这些发动机都是恶名昭著的高油耗“油老虎”。...

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祝世宁院士：薄膜铌酸锂集成光子学应用前景令人期待
2023-4-26 11:35

祝世宁院士在报告中指出，上个世纪80年代,南开大学与西南技术物理所合作研究, 发现掺镁量大于4.6%mol浓度阈值时，可极大提高抗光折变能力,引起国内外学者广泛关注,该晶体也被誉为“中国之星”，这一突破打开了铌酸锂晶体在...

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罗毅院士：智能时代，光电子器件的三大发展机会
2023-4-26 11:01

高速激光器单色性差是光通信速率提升的瓶颈。罗毅院士透露，目前围绕瓶颈突破，已研制成功单色性优异的、国际上首个增益反馈激光器。我国首次研制成功的40Gb/s集成光源模块...

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郝跃院士：功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战
2023-4-26 10:21

郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可...

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高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
2023-3-28 11:48

氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具有热稳定性好、禁带宽度大、紫外吸收系数大、材料易加工等优点，是日盲紫外探测理想的半导体材料。基于Ga2O3的日盲紫外光电探测器已有很多的报道。...

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湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展
2023-3-24 10:37

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而，散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝（AlN）作为过渡层连接到具有...

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中瓷电子购买博威公司/国联万众股权获深交所受理
2023-3-6 11:00

据悉，本次募集配套资金拟在支付本次重组相关费用后投入氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目、通信功放与微波集成电路研发中心建设项目、第三代半导体工艺及封测平台建设项目、碳化硅高压功率模块关键技术研发项目，以及补充流动资金。...

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