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行政品宣部 苏州华林科纳半导体设备技术有限公司
北京市 东城区 市场及销售
  • 发布了文章 2024-10-17 17:32
    PFA管,全称为全氟烷氧基乙烯(Perfluoroalkoxy)树脂管,是一种高性能的氟塑料管道,以其卓越的耐腐蚀性、耐高温性、电绝缘性和化学稳定性在多个工业领域中得到了广泛应用。特别是在换热器这一关键设备中,PFA管凭借其独特的性能优势,...
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  • 发布了文章 2024-7-9 16:28
    01 半导体光照产业项目 项目概况 本项目依托“中国半导体之父”张博士的技术支撑,于杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区(绍兴市柯桥区钱清街道钱清村)新增土地,新增建筑面积4.84 万平方米,购置曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、...
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  • 发布了文章 2024-2-2 17:56
    蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的过氧化氢(H2O2)浓度,蚀刻时间为30秒和60秒。经过一定量...
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  • 赞同了文章 2023-8-22 16:03
    单晶金刚石中的低损耗毫米波导和光栅耦合器...
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  • 关注了版块 2022-7-19 14:21

    RISC-V技术论坛

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  • 关注了版块 2022-7-19 14:14

    电路设计论坛

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  • 发布了文章 2022-5-16 15:00
    本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组,进行了清洗实验及室温接合, 以上工艺除热处理工艺外,通过最小化工序内部时间间隔,抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质粒子下。...
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  • 发布了文章 2022-5-11 14:49
    接上回的实验演示   实验演示  非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移; 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀刻以形成非球面表面。 我们使用 100 525 ...
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  • 发布了文章 2022-2-15 14:55
    摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭,和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭,该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X 1020cm-3的施主型杂质和浓度为X1018cm-3...
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  • 发布了文章 2022-2-8 15:26
    氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性,已成为短波长发射器(发光二极管和二极管激光器)和探测器等许多光电应用的诱人半导体,以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化镓器件,如激光二极管或高功率灯,对低线程位错密度(<106cm-...
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  • 发布了文章 2022-2-8 14:27
    在这篇文章中,我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备,以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...
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  • 发布了文章 2022-2-8 13:10
    本文讨论了传统MLCC技术的最新技术,并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的总体趋势的影响、MLCC形状因子的预期演变以及薄膜技术...
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  • 发布了文章 2022-1-25 13:51
    摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面...
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  • 发布了文章 2022-1-25 13:18
    摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa),以及在低温下生长的能力(450C),这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。然而,由于晶体的竞争生长,所产生的薄膜的粗糙度随着薄膜厚度的增加而变化,阻止了NCD薄膜...
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  • 发布了文章 2022-1-25 10:32
    摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对...
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