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  • EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。...
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  • 当 IGBT管导通与关断的瞬间,会产生很高的du/dt,通过回路中开关器件、金属引线散热片、外壳等对地的寄生电容进行不断地充放电,产生共模电流。...
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