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半导体行业制造工艺解析
2023-8-7 09:41

使用重离子可以形成源/漏扩展(SDE)浅结(见下图),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE管使用Sb+重离子或As+。...

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半导体行业之ICT技术介绍（四）
2023-8-4 09:52

所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。...

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半导体行业之ICT技术简介
2023-7-31 10:13

有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟由芯片设计、工艺技术，以及互连的导体和电介质材料决定。...

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半导体行业之ICT技术的工艺流程
2023-7-28 10:52

CMOS集成电路芯片加工技术的几个主要发展发生在20世纪90年代。...

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浅谈20世纪80年代CMOS工艺流程
2023-7-24 17:05

因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对CMOS集成电路芯片的需求，基于CMOS工艺设计、加工、生产出来的芯片是电子工业中最常见的IC芯片。在本期开始，我们将开...

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等离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍
2023-7-21 10:18

在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。...

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无源器件的大功率实时测量方案
2023-7-15 09:10

如果你是个跑步爱好者，你一定希望在运动过程中实时监测自己的心率，而不是在运动结束后再用秒表来测量心率，因为后者不具备实时性，不能真实反映运动状态下的心率。智能手表的出现使得人们可以在运动过程中实时监测自己的心率，让我们更...

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离子注入技术发展趋势
2023-7-14 10:02

与高电压或电流接触会引起电击、烧伤、肌肉和神经损伤、心脏麻痹以及死亡。大约1mA的电流通过心脏就可能致命。统计资料显示接触到250V交流电压的死亡率为3%。当电压超过10kV时，此概率急剧增加。...

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激光脉冲和载流子扩散过程
2023-7-10 08:56

光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极，从而可以检测到由载流子扩散所引起的电压变化。...

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半导体离子注入工艺评估
2023-7-7 09:51

掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具，可以测量硅表面的薄片电阻。离子注...

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如何降低污染粒子在每一道离子注入过程中的增加量？
2023-6-30 10:11

对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备，大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面，这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。...

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半导体离子注入工艺讲解
2023-6-9 11:31

阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。...

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半导体行业之离子注入工艺（十）
2023-6-4 16:38

当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电流利用可调整的叶片控制，而离子能量则由后段加速电极的电位控制。...

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使用负偏压萃取电极的方法
2023-5-29 09:37

使用负偏压的萃取电极将离子从离子源内的等离子体中抽出，并将其加速到大约50keV的能量。...

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半导体制造之离子注入工艺简述
2023-5-26 14:44

高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子，需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统，然而一个射频离子源需要大约1000W的射频供应。需要...

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