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无源器件在大功率条件下S参数的变化量
2023-8-21 09:29

三、无源器件的大功率实时测量方法无源器件的大功率性能可以通过其在大功率条件下S参数的变化量来表征，因此无源器件的大功率实时测量可以采用标量网络分析仪的原理。图2是一个标量网络分析仪的基本工作原理，它利用功率检波器...

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半导体之ICT技术先通孔的过程详解
2023-8-14 10:22

对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k电介质的和覆盖层(下图(a))。...

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半导体行业制造工艺解析
2023-8-7 09:41

使用重离子可以形成源/漏扩展(SDE)浅结(见下图),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE管使用Sb+重离子或As+。...

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半导体行业之ICT技术介绍（四）
2023-8-4 09:52

所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。...

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半导体行业之ICT技术简介
2023-7-31 10:13

有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟由芯片设计、工艺技术，以及互连的导体和电介质材料决定。...

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半导体行业之ICT技术的工艺流程
2023-7-28 10:52

CMOS集成电路芯片加工技术的几个主要发展发生在20世纪90年代。...

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浅谈20世纪80年代CMOS工艺流程
2023-7-24 17:05

因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对CMOS集成电路芯片的需求，基于CMOS工艺设计、加工、生产出来的芯片是电子工业中最常见的IC芯片。在本期开始，我们将开...

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等离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍
2023-7-21 10:18

在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。...

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无源器件的大功率实时测量方案
2023-7-15 09:10

如果你是个跑步爱好者，你一定希望在运动过程中实时监测自己的心率，而不是在运动结束后再用秒表来测量心率，因为后者不具备实时性，不能真实反映运动状态下的心率。智能手表的出现使得人们可以在运动过程中实时监测自己的心率，让我们更...

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离子注入技术发展趋势
2023-7-14 10:02

与高电压或电流接触会引起电击、烧伤、肌肉和神经损伤、心脏麻痹以及死亡。大约1mA的电流通过心脏就可能致命。统计资料显示接触到250V交流电压的死亡率为3%。当电压超过10kV时，此概率急剧增加。...

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激光脉冲和载流子扩散过程
2023-7-10 08:56

光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极，从而可以检测到由载流子扩散所引起的电压变化。...

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半导体离子注入工艺评估
2023-7-7 09:51

掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具，可以测量硅表面的薄片电阻。离子注...

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如何降低污染粒子在每一道离子注入过程中的增加量？
2023-6-30 10:11

对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备，大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面，这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。...

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半导体离子注入工艺讲解
2023-6-9 11:31

阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。...

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半导体行业之离子注入工艺（十）
2023-6-4 16:38

当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电流利用可调整的叶片控制，而离子能量则由后段加速电极的电位控制。...

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