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半导体蚀刻工艺科普
2024-11-5 09:25

过度蚀刻暴露硅晶圆表面可能会导致表面粗糙。当硅表面在HF过程中暴露于OH离子时，硅表面可能会变得粗糙。...

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半导体光刻工艺流程分析
2024-11-5 09:22

等离子体蚀刻机需要与湿法蚀刻相同的元素：化学蚀刻剂和能量源。从物理上讲，等离子体蚀刻机由室、真空系统、气体供应、终点检测器和电源组成（如下图所示）。晶圆被装入室中，室内的压力被真空系统降低。真空建立后，室中充满反应气体。...

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湿法蚀刻的发展
2024-10-24 15:58

蚀刻的历史方法是使用湿法蚀刻剂的浸泡技术。该程序类似于前氧化清洁冲洗干燥过程和沉浸显影。晶圆被浸入蚀刻剂罐中一段时间，转移到冲洗站去除酸，然后转移到最终冲洗和旋转干燥步骤。湿法蚀刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在该水平以...

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晶圆制造良率限制因素简述（1）
2024-10-9 09:50

下图列出了一个11步工艺，如第5章所示。典型的站点良率列在第3列，累积良率列在第5列。对于单个产品，从站点良率计算的累积fab良率与通过将fab外的晶圆数量除以fab线开始的晶圆数量计算的良率相同。累积良率等于这个单独电...

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浅谈影响晶圆分选良率的因素（2）
2024-10-9 09:45

在晶圆制造良率部分讨论的工艺变化会影响晶圆分选良率。在制造区域，通过抽样检查和测量技术检测工艺变化。检查抽样的本质是并非所有变化和缺陷都被检测到，因此晶圆在一些问题上被传递。这些问题在晶圆分选中显现为失败的设备。...

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浅谈影响晶圆分选良率的因素（1）
2024-10-9 09:43

制造后，晶圆被送到晶圆分选测试仪。在测试期间，每个芯片都会进行电气测试，以检查设备规范和功能。每个电路可能执行数百个单独的电气测试。虽然这些测试测量设备的电气性能，但它们间接测量制造工艺的精度和清洁度。由于自然过程变化和...

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晶圆制造良率限制因素简述（2）
2024-10-9 09:39

硅晶圆相对容易处理，并且良好的实践和自动设备已将晶圆断裂降至低水平。然而，砷化镓晶圆并不是那么坚韧，断裂是主要的晶圆良率限制因素。在砷化镓制造线上，电路的售价很高，通常会处理部分晶圆。...

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半导体工艺之生产力和工艺良率
2024-7-1 11:18

晶圆实际被加工的时间可以以天为单位来衡量。但由于在工艺站点的排队以及由于工艺问题导致的临时减速，晶圆通常在制造区域停留数周。晶圆等待的时间越长，增加了污染的机会，这会降低晶圆分选良率。向准时制制造的转变（见后面章节）是提...

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晶圆制造和封装之影响良率的主要工艺和材料因素（一）
2024-5-20 10:55

晶圆制造和封装是一个极其漫长和复杂的过程，涉及数百个要求严格的步骤。这些步骤从未每次都完美执行，污染和材料变化结合在一起会导致晶圆在生产过程中的损失。...

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半导体行业之晶圆制造与封装概述（四）
2024-1-26 09:29

有许多单独的模式处理步骤，这些处理步骤标识了器件的数量、器件的具体结构，器件中堆叠层的组合方式，并且可以在物理尺寸的层面上继续缩小。...

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半导体行业之晶圆制造与封装概述（三）
2024-1-22 09:12

电路设计是制造微芯片的第一步。电路设计人员首先会从设计电路的单元功能图开始，如逻辑图中所示的这样。...

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半导体行业之晶圆制造与封装概述（二）
2024-1-19 09:24

下图中描述了一个中等规模集成(MSI)/双极显微照片集成电路。选择整合的水平，以便一些表面细节可以看到。高密度电路的元件非常小，以至于它们在整个芯片的显微照片上无法区分。...

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半导体行业之晶圆制造与封装概述（一）
2024-1-15 09:33

在本章当中，我们将为大家介绍硅片制造中使用的四种基本工艺，这四种基本工艺常用于在晶圆片表面上加工集成电路(IC)的电子元件。...

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半导体行业中的化学机械抛光技术
2024-1-12 09:54

最后的抛光步骤是进行化学蚀刻和机械抛光的结合，这种形式的抛光称为化学机械抛光(CMP)。首先要做的事是，将晶圆片安装在旋转支架上并且要降低到一个垫面的高度，在然后沿着相反的方向旋转。垫料通常是由一种浇铸和切片的聚氨酯与填...

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半导体行业之晶体生长和硅片准备（六）
2024-1-8 09:47

一旦晶体在切割块上被定向了，我们就可以沿着切割块的这一根轴线打磨出一个平面或缺口(具体可以见下图所示)。...

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