kTV18033111188的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

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堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析
2023-9-8 10:02

在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。...

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具有铜互连的IC芯片设计
2023-8-18 09:41

铜互连是一种比较新的技术。在经过深入的研究和开发后，具有铜互连的IC芯片产品第一次在1999年出现。...

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半导体制造工艺解析
2023-8-11 10:02

WCMP是电子束检测应用最重要的一层，这一层的功能主要体现在：可以使工程师遇到器件的漏电和接触不良问题。EBI的应用可以帮助提升成品率，减少半导体ict技术开发的周期，并缩短提高成品率所需的时间。...

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离子注入技术在MOSFET单元阵列之间和连接方面的应用
2023-6-19 09:59

在DRAM生产中，离子注入技术被应用于减少多晶硅和硅衬底之间的接触电阻，这种工艺是利用高流量的P型离子将接触孔的硅或多晶硅进行重掺杂。...

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多晶硅内掺杂物的扩散效应
2023-6-11 09:09

当晶体管尺寸缩小时，多晶硅内掺杂物的扩散效应可能会影响器件的性能。...

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半导体制造之离子注入工艺
2023-6-6 10:43

旋转圆盘与旋转轮类似，不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘，而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。...

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离子注入工艺
2023-5-4 09:25

加热扩散的物理原理众所皆知，工艺工具相当简单且不昂贵，然而扩散过程有一些主要的限制。...

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半导体行业之刻蚀工艺技术
2023-4-7 09:48

DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。...

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半导体刻蚀工艺简述(3)
2023-3-6 13:56

对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批...

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半导体刻蚀工艺简述(2)
2023-3-6 13:52

严重的离子轰击将产生大量的热量，所以如果没有适当的冷却系统，晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀，晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层，如果晶圆温度超过150摄氏度,屏蔽层就会被烧焦，而且化学刻蚀速率对晶圆温度很敏感，所以...

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半导体刻蚀工艺简述(1)
2023-3-6 13:50

等离子体最初用来刻蚀含碳物质，例如用氧等离子体剥除光刻胶，这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物...

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半导体行业之刻蚀工艺
2023-2-8 09:41

等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。...

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半导体制造之等离子工艺
2022-12-12 10:47

热平衡等离子体中，电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3eV。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度，是200~400℃或0.04〜0.06eV。...

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半导体制造之等离子工艺
2022-12-5 11:31

由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时，MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大，扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比，大粒子有更多概率和其他粒子发生碰撞，使其具有较短的MFP。改变压力会改...

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半导体制造之离子工艺
2022-11-28 14:38

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞产生的自由基，自由基至少带有一个不成对的电子, 因此并不稳定。自由基在化学上非常活跃，能夺取其他原子或分子的电子形成稳定的分子。自由基能增强刻蚀和CVD反应室的化学反应。下图说明了分...

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