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发布了文章 2023-2-17 09:44

等离子体刻蚀工艺简介

铝刻蚀可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)所组成的混合物。...

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发布了文章 2023-2-13 11:13

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。...

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发布了文章 2023-2-13 11:11

单晶硅刻蚀与多晶硅刻蚀的区别在哪？

磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨气(NH3)这两种副产品都可以溶于水。LOCOS工艺的场区氧化层生成后(或USG研磨和STI退火处理后)，这个技术至今仍在隔离形成工艺中被采用以去除氮化硅。...

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发布了文章 2023-2-10 11:03

湿法刻蚀工艺的流程包括哪些？

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。...

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发布了文章 2023-2-8 09:41

半导体行业之刻蚀工艺

等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。...

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发布了文章 2023-2-6 15:06

刻蚀工艺基础知识简析

刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。...

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发布了文章 2023-2-1 09:09

湿法和干法刻蚀图形化的刻蚀过程讨论

刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜上...

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发布了文章 2023-1-15 14:45

等离子体工艺回顾

在ICP反应室中加入射频偏压系统就可以产生自偏压并控制离子的轰击能量。由于在高密度等离子体中的离子轰击会产生大量的热能，因此必须有一个背面気气冷却系统和静电夹盘控制晶圆的温度。...

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发布了文章 2023-1-8 10:19

半导体行业：等离子工艺（十一）

电介质薄膜经常使用氧气溅射刻蚀反应室进行某些处理，例如在间隙填充前首先在间隙边缘形成倾斜的侧壁，以及薄膜表面的平坦化。由于溅射刻蚀速率对晶圆的温度不敏感，所以并不需要带有夹环或E夹盘的氮气背面冷却系统。...

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发布了文章 2022-12-29 17:28

半导体制造之等离子工艺详解

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。...

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发布了文章 2022-12-27 15:34

CVD过程中的等离子工艺

CVD过程中，不仅在晶圆表面出现沉积，工艺室的零件和反应室的墙壁上也都会有沉积。...

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发布了文章 2022-12-19 15:11

半导体行业：等离子工艺（七）

下图显示了在一个不对称电极等离子体源中的电压情况，这两个电极具有不同面积。电流的连续性将产生所谓的自偏压，即在较小的电极上形成的负偏压。鞘层电压取决于两个电极面积的比例（见下图）。...

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发布了文章 2022-12-12 10:47

半导体制造之等离子工艺

热平衡等离子体中，电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3eV。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度，是200~400℃或0.04〜0.06eV。...

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发布了文章 2022-12-7 17:00

磁场中的带电粒子介绍

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速到具有较高的能量，也因此能够提供更多的能量在离子轰击上。...

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发布了文章 2022-12-5 11:31

半导体制造之等离子工艺

由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时，MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大，扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比，大粒子有更多概率和其他粒子发生碰撞，使其具有较短的MFP。改变压力会改变粒子密度，因此会影...

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