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金属层2工艺是什么
2024-10-24 16:02

金属层2（M2）工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线，金属互连线的目的是实现把第一层金属或者第三层金属连接起来。...

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衬底量子效应简介
2024-8-7 11:40

随着器件的特征尺寸减少到90mm 以下，栅氧化层厚度也不断减小，载流子的物理特性不再遵从经典理论，其量子效应会变得非常显著。纳米器件的沟道掺杂浓度高达3*1017cm-2以上，栅氧化层的厚度小于2nm，在1~1.2V电压...

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栅介质层的发展和挑战
2024-8-2 15:37

随着集成电路工艺技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低和沟道的掺杂浓度也不断...

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多晶硅栅耗尽效应简述
2024-8-2 09:14

当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到 2n...

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接触刻蚀阻挡层应变技术介绍
2024-7-30 09:42

SMT仅仅是用来提高NMOS 的速度，当工艺技术发展到45nm 以下时，半导体业界迫切需要另一种表面薄膜层应力技术来提升PMOS 的速度。在SMT技术的基础上开发出的接触刻蚀阻挡层应变技术（Contact Etch St...

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应力记忆技术介绍
2024-7-29 10:44

应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT），是一种利用覆盖层Si3N4单轴张应力提高90nm 及以下工艺制程中 NMOS速度的应变硅技术。淀积覆盖层Si3N4薄膜后，通过高温退火...

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源漏嵌入SiGe应变技术简介
2024-7-26 10:37

与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程PMOS的速度。它是通过外延生长技术在...

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源漏嵌入SiC应变技术简介
2024-7-25 10:30

源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长技术在源漏嵌入 SiC 应变材料，利用硅和碳晶格常数不同，从而对沟道和衬底硅产生应力，改变硅导带的能带结构，从而降低电子...

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BiCMOS工艺制程技术简介
2024-7-23 10:45

按照基本工艺制程技术的类型，BiCMOS 工艺制程技术又可以分为以 CMOS 工艺制程技术为基础的 BiCMOS 工艺制程技术，或者以双极型工艺制程技术为基础的 BiCMOS 工艺制程技术。以CMOS 工艺制程技术为基础...

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HV-CMOS工艺制程技术简介
2024-7-22 09:40

BCD 工艺制程技术只适合某些对功率器件尤其是BJT 或大电流 DMOS 器件要求比较高的IC产品。BCD 工艺制程技术的工艺步骤中包含大量工艺是为了改善 BJT 和 DMOS 的大电流特性，所以它的成本相对传统的CMO...

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BCD工艺制程技术简介
2024-7-19 10:32

1986年，意法半导体（ST）公司率先研制成功BCD工艺制程技术。BCD工艺制程技术就是把BJT，CMOS和DMOS器件同时制作在同一芯片上。BCD工艺制程技术除了综合了双极器件的高跨导和强负载驱动能力，以及CMOS 的...

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PMOS工艺制程技术简介
2024-7-18 11:31

PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P 沟道金属氧化物半导体）工艺制程技术是最早出现的MOS 工艺制程技术，它出现在20世纪60年代。早期的 PMOS 栅极是金...

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双极型工艺制程技术简介
2024-7-17 10:09

本章主要介绍了集成电路是如何从双极型工艺技术一步一步发展到CMOS 工艺技术以及为了适应不断变化的应用需求发展出特色工艺技术的。...

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晶圆外缘为什么不利用-边缘去除法
2024-5-11 11:00

观察矽晶圆的外缘，可以发现有如图4-6-1所示的边缘磨边加工。此种针对外缘进行磨边的加工，一般称为“导角（beve-ling）。...

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保护半导体晶片的“封装”—保护晶片避免气体或液体侵入
2024-4-28 14:28

完成打线的半导体晶片，为了防止外界物理性接触或污染的侵入，需要以包装或是封装材料密封。...

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