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化学气相沉积工艺（Chemical Vapor Deposition，CVD）
2022-11-4 10:56

化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。...

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物理气相沉积及溅射工艺（PVD and Sputtering）
2022-11-3 15:32

物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD)工艺是指采用物理方法，如真空蒸发、溅射（Sputtering）镀膜、离子体镀膜和分子束外延等，在圆片表面形成薄膜。...

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退火工艺（Thermal Annealing）介绍
2022-11-2 10:03

通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对衬底晶格造成损伤。...

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等离子体掺杂（Plasma Doping）
2022-11-1 10:14

通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即使在...

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离子注入与传统热扩散工艺区别
2022-10-31 09:06

与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。...

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集成电路制造工艺中的氧化工艺（Oxidation Process）
2022-10-27 10:46

湿氧氧化化学反应式为H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在湿氧工艺中，可在氧气中直接携带水汽，也可以通过氢气和氧气反应得到水汽，通过调节氢气或水汽与氧气的分压比改变氧化速率。注意，为了确保安全，氢气与氧气的...

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计算光刻技术的发展
2022-10-26 15:46

计算光刻 (Computational Lithography)技术是指利用计算机辅助技术来增强光刻工艺中图形转移保真度的一种方法，它是分辦率增强技术(ResolutionEnhancement Technology，R...

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牺牲层技术大致包含哪几个步骤
2022-10-25 18:18

牺牲层技术自20世纪80 年代美国加州大学伯克利分校开发至今，得到了快速发展。牺牲层技术是 MEMS 工艺设计中有别于传统IC制造工艺技术之一...

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移相掩模技术不同的分类方法
2022-10-17 14:54

光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度，移相掩模方法可使对比度得到改善，从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型，其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消...

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空腔-SOI衬底制造MEMS谐振器的工艺流程
2022-10-12 09:09

常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割（Smart Cut）等方法在体硅衬底中...

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MEMS工艺中的键合技术
2022-10-11 09:59

键合技术是 MEMS 工艺中常用的技术之一，是指将硅片与硅片、硅片与玻璃或硅片与金属等材料通过物理或化学反应机制紧密结合在一起的一种工艺技术。...

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干法刻蚀解决RIE中无法得到高深宽比结构或陡直壁问题
2022-10-10 10:12

在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀（Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀（Deep Reactive lon Etching， DRIE）和XerF2各向同性蚀刻...

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常见的各向同性湿法刻蚀的实际应用
2022-10-8 09:16

湿法刻蚀也称腐蚀。硅的湿法刻蚀是 MEMS 加工中常用的技术。其中，各向同性（Isotropic）湿法刻蚀常用的腐蚀剂是由氢氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）组成的混合物（也称为 HNA 腐蚀剂）...

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