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  • SADP 技术先利用浸没式光刻机形成节距较大的线条,再利用侧墙图形转移的方式形成 1/2 节距的线条,这种技术比较适合线条排列规则的图形层,如 FinFET 工艺中的 Fin 或后段金属线条。...
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  • 铝/铜互连工艺是指将前段工艺制备的晶体管连接起来的工艺。硅片上的金属互连工艺过程是应用化学方法和物理方法制备金属连线的过程,这些金属线在IC电路中负责传导信号,而周围介质层的物性对邻近金属线的影响很大。...
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  • 接触孔工艺是集成电路制造中的关键工艺,也是技术难度最高的工艺之一。接触孔的尺寸是集成电路工艺中最小的尺寸之一,是决定芯片面积的关键尺寸。...
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  • 为了降低接触电阻和串联电阻,在集成电路制造中引入了硅化物工艺,业界先后采用了可规模生产的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工艺。...
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  • 目前,高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造,它在相同功耗情况下可以使集成电路的性能大幅度提高,泄漏电流大幅下降。...
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  • 多晶硅栅光刻工艺使用的光刻机是同一技术代集成电路工艺线中最先进、最昂贵的设备,它采用 UV 光源进行曝光,波长从g线(436nm)到DUV(248pm 和 193nm),以及 193nm 浸没式;在光刻掩模版上采用了 O...
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  • 沟道工艺是集成电路的核心工艺之一,它确定了场效应晶体管的基本特性,如阈值电压、短沟道特性、噪声特性、穿通(Punch-througb)特性等,其目的是使场效应晶体管具有稳定的符合要求的电学参数...
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  • 最早的隔离技术是 pn 结隔离,因为加上反向偏压,pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是,由于其需要较宽的耗尽层,面积占比和电容均较大,响应速度慢,不适用于集成电路的隔离。...
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  • CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区...
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  • CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区,分別对应p阱和N阱,如图所示。在进行阱注入时,产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性,即首先采用高能量、大...
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  • 湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制,使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代,但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。...
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  • 干法刻蚀工艺流程为,将刻蚀气体注入真空反应室,待压力稳定后,利用射频辉光放电产生等离子体;受高速电子撞击后分解产生自由基,并扩散到圆片表面被吸附。...
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  • 外延工艺(Epitaxy)

    2022-11-9 09:33
    固相外延,是指固体源在衬底上生长一层单晶层,如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时,硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击...
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  • CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液(又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End Point)检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。...
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  • 由于 ALD 技术逐层生长薄膜的特点,所以 ALD 薄膜具有极佳的合阶覆盖能力,以及极高的沉积均匀性和一致性,同时可以较好她控制其制备薄膜的厚度、成分和结构,因此被广泛地应用在微电子领域。...
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