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先进封装（Advanced Package）
2023-2-20 10:44

2.5D 封装是在2D封装结构的基础上，在芯片和封装载体之间加入了一个硅中介转接层，该中介转接层上利用硅通孔 (Through Silicon Via, TSV)连接其上、下表面的金属，多采用倒装芯片组装工艺。由于采用了...

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传统封装通常是指什么？包括哪些封装形式？
2023-2-15 17:37

传统封装通常是指先将晶片切割成单个芯片再进行封装的工艺形式，主要包含SIP、DIP、SOP、SOT、TO、QFP、QFN、DFN、BGA 等封装形式。...

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集成电路传统封装的定义及其作用
2023-2-10 13:53

狭义的封装定义是指安装集成电路芯片外壳的过程；广义的封装定义应包括将制备合格的芯片、元件等装配到载体（Carrier）上，采用适当的连接技术形成电气连接，安装外壳，构成有效组件的整个过程。...

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全球封测业发展现状与趋势
2023-2-9 16:13

随着芯片技术的发展，封装具有了新的作用，如功能集成和系统测试。从封装类型的发展来看，早期的封装主要是金属晶体管外形 (Transistor Out-line， TO）封装和陶瓷双列直插封装(Ceramic Dual In...

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动态随机存储器集成工艺（DRAM）详解
2023-2-8 10:14

在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟槽（Deep Tench）...

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详解三维NAND集成工艺（3D-NAND Integration Technology）
2023-2-3 09:16

在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量，NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAND 存储单元中，电荷的存储...

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平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程
2023-1-17 11:39

该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或湿法刻蚀清除多晶硅；然后形成高k介质（IL-ox/氧化铪)，...

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后段集成工艺（BEOL Integration Flow）- 2
2023-1-13 10:19

双镶嵌工艺分为先通孔（Via-First）和先沟槽(Trench-First）两种技术。以先通孔技术为例，首先沉积IMD2层（如 SiCN层，厚度约为 50nm，含碳低k PECVD 氧化硅黑金刚石层厚度约为 600...

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主侧墙和N+/P+源漏的形成
2023-1-12 14:11

首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。...

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高K介质（High-k Dielectric)和替代金属栅(RMG)工艺介绍
2023-1-11 09:53

高k介质（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等）模块便成为 32nm/28nmn 和更先进节点上的标准配备...

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自对准硅化物 (Self -Aligned Silicide) 工艺
2023-1-10 16:12

形成多晶硅栅和源漏之后，先用湿法或干法清除在有源区 (AA)和多晶硅栅表面的氧化物，溅射一薄层（厚度范围 10~20nm）金属（钴Co 或镍Ni)，紧接着进行第1次 RTA(温度范围为 400-550°C）...

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前段集成工艺（FEOL）
2023-1-5 14:08

其制造工艺流程如下：首先形成补偿侧墙 (Offset Spacer)，经n+/p+轻掺杂源漏后，选择性地进行图形化，在p型源漏区先进行干法刻蚀，使其凹陷适当的深度(30~100nm)；然后采用湿法各向异性刻蚀形成“钻石”...

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前段集成工艺（FEOL）-4
2022-12-9 14:45

在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD 离子注入（为了减弱短沟道效应）引起的横向扩散，对于 45nm/28nm 或更先进的节点，这一步是必要的。...

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嵌入式源漏选择性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）
2022-11-29 16:05

源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。...

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应变硅（Strained Silicon）
2022-11-28 10:20

根据应变的作用方向差异，应变还可以分为双轴应变（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y两个方向上形成相对一致的应力）和单轴应变 (Uniaxial Strain,在晶片表面主要沿单一方向的应变)。...

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