ruilian666的专栏_电子工程师 - 电子技术论坛

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接触孔工艺的制造流程
7 天前

接触孔工艺是指在 ILD 介质层上形成很多细小的垂直通孔，它是器件与第一层金属层的连接通道。通孔的填充材料是金属钨（W），接触孔材料不能用Cu，因为 Cu 很容易在氧化硅和衬底硅中扩散，Cu扩散会造成器件短路。因为淀积钨...

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IMD1工艺是什么意思
7 天前

IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。...

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金属层1工艺的制造流程
7 天前

金属层1工艺是指形成第一层金属互连线，第一层金属互连线的目的是实现把不同区域的接触孔连起来，以及把不同区域的通孔1连起来。第一金属层是大马士革的铜结构，先在介质层上挖沟槽，再利用电镀（Electro Chemical P...

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ILD工艺的制造流程
2024-11-12 11:30

ILD 工艺是指在器件与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD介质层可以有效地隔离金属互连线与器件，降低金属与衬底之间的寄生电容，改善金属横跨不同的区域而形成寄生的场效应晶体管。ILD 的介质材料是氧化硅。...

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Salicide工艺的制造流程
2024-11-11 09:20

Salicide 工艺是指在没有氧化物覆盖的衬底硅和多晶硅上形成金属硅化物，从而得到低阻的有源区和多晶硅。...

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源漏离子注入工艺的制造流程
2024-11-9 10:04

与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区，或者n型和p型有源区电阻，以及n型和p型多晶硅电阻。...

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侧墙工艺是什么意思
2024-11-9 10:02

与亚微米工艺类似，侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护LDD 结构，防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤形成，首先淀积 ONO 结构，再利用各向异性干法刻蚀去除表面的 ONO...

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多晶硅栅工艺的制造流程
2024-11-7 08:58

与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进行掺杂，PMOS 的栅是p型掺杂，NMOS 的栅是n型掺杂。...

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栅氧化层工艺的制造流程
2024-11-5 15:37

与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化层，它的热稳定性和界面态都非常好。...

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双阱工艺的制造过程
2024-11-4 15:31

与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。...

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STI隔离工艺的制造过程
2024-11-1 13:40

STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利用STI 隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。...

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有源区工艺的制造过程
2024-10-31 16:55

有源区工艺是指通过刻蚀去掉非有源区的区域的硅衬底，而保留器件的有源区。...

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芯片制造中的钝化层工艺简述
2024-10-30 14:30

集成电路的可靠性与内部半导体器件表面的性质有密切的关系，目前大部分的集成电路采用塑料封装而非陶瓷封装，而塑料并不能很好地阻挡湿气和可移动离子。为了避免外界环境的杂质扩散进入集成电路内部对器件产生影响，必须在芯片制造的过程...

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顶层金属工艺是指什么
2024-10-29 14:09

顶层金属工艺是指形成最后一层金属互连线，顶层金属互连线的目的是实现把第二层金属连接起来。顶层金属需要作为电源走线，连接很长的距离，需要比较低的电阻，需要很大的宽度以支持很大的电流。顶层金属层也是三文治结构。...

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IMD2工艺是什么意思
2024-10-25 14:49

IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。...

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